电路与电子技术应用基础教学配套课件谭维瑜第5章5.3.pdfVIP

5.3 场效应晶体管 教学要求 5.3.1 场效应晶体管简介 1. 了解场效应晶体管的控制及分类 5.3.2 N 沟道耗尽型绝缘栅 2. 掌握 N 沟道耗尽型绝缘栅场效 场效应晶体管 应晶体管的工作原理 5.3.3 与双极型晶体管比较 3. 熟悉与双极型晶体管比较 5.3 5.3 场效应晶体管 5.3.1 场效应晶体管简介 场效应晶体管是较新型的也具有 PN 结的半导体器件, 它利用输入电压产生的电场效应来控制输出 电流, 因而得名。 即它用输入 电压UGS 来控制输出 电流ID (晶体管管是用输入 电流I 控制输出电流 I ) 。它只依靠多数截流子( 电子或空穴) B C 形成电流, 故又称为单极型半导体晶体管。 5.3.1－1 5.3 场效应晶体管 5.3.1 场效应晶体管简介 按其结构的不同, 场效应管可分为结型和绝缘栅型两大类； 按其基片(衬底)材料不同, 每类又分 N 沟道和 P 沟道；绝 缘型栅场效应管按其工作状态可分为耗尽型和增强型。 由于绝缘栅型场效应晶体管应用更为广泛,本节仅介绍此 种类型的场效应晶体管。 5.3.1-2 5.3 场效应晶体管 5.3.2 N 沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管 绝缘栅型场效应晶体管按导电类型分为：N 沟道( 电子导电) 和 P 沟道(空穴导电)两种。所谓沟道 即其内部的导电沟道。 如果在制造时就已形成导电沟道, 称为耗尽型；如果是在外加 电压 UGS 作用下才形成导电沟道, 称为加强型。 本节仅介绍N 沟道耗尽型绝缘型栅场效应晶体管。 5.3.2-1 5.3 场效应晶体管 5.3.2 N 沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管 1.结构及符号 图 5-16(a)是 N 沟道耗尽型绝缘栅场效应管的结构示意图, (b)是其图形符号。 图 5-16 N 沟道耗尽型绝缘栅场效应管的结构及图形符号 5.3.2-2 5.3 场效应晶体管 5.3.2 N 沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管 1.结构及符号 它用一块杂质浓度较低的 P 型硅片作为衬底, 在其上面扩散两 个浓度很高的 N+ 区, 并引出两个电极, 分别称为源极 S 和漏极 D 。 P 型硅片表面覆盖一层极薄的二氧化硅绝缘层, 在源极和漏极之间 的绝缘层上制作一个金属电极称为栅极 G。栅极和其它电极是绝缘 的, 故称绝缘栅场效应晶体管。 金属栅极和半导体之间的绝缘层常用二氧化硅, 故又称为金属 一氧化物一半导体晶体管, 简称MOS 管。 5.3.2－3 5.3 场效应晶体管 5.3.2 N 沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管 1.结构及符号