电路与电子技术应用基础教学配套课件谭维瑜第14章14.4.pdfVIP

14.4 动态RAM(DRAM) 14.4.1 DRAM 存储电路结构 14.4.2 单管 DRAM 存储电路的工作 教学要求 1.熟悉DRAM 的结构 2.掌握单管DRAM 存储电路的工作 14.4 14.4 动态RAM(DRAM) 14.4.1 DRAM 存储电路结构 在保证电源供应下, 所存信息能稳定保持, 不需要定时进行“刷新”的基本存储电路, 称 为静态存储电路(SRAM) 。而需要定时进行“刷新”的基本存储电路, 称为动态 RAM(DRAM) 。 动态RAM 的基本存储电路, 是利用MOS 管栅-源间电容的电荷暂存效应来实现信息存 储的。该电容中存储的电荷, 在栅-源间处于高阻抗时, 能保持数毫秒至数百毫秒的短暂时 间。为避免所存信息丢失, 必须定时给电容补充漏掉的电荷, 这一操作称为“刷新”。 14.4.1－1 14.4 动态RAM(DRAM) 14.4.1 DRAM 存储电路结构 常用的MOS 动态存储电路有单管、三管和四管电路等。 为提高存储器的集成度, 目前大容量的动态RAM 大多采用 单管 MOS 动态存储电路。单管MOS 动态存储电路的结构 如图 14-6 所示, CS 用于存储信息, T 为控制门。 图14-6 单管MOS 动态存储电路 14.4.1－2 14.4 动态RAM(DRAM) 14.4.2 单管DRAM 存储电路工作 写入数据时, 使字选线为1, 门控管T 导通, 来自数据线D 的待写入信息 经由位线存入电容CS 。写入1 时, 位线为 1, 电容充电；写入0 时, 位线为0, 电容放电。 读出数据时, 也使字选线为1, 门控管T 导通。若电容上有电荷, 便会通 过位线的分布电容CD 放电, 位线上有电流流过, 表示读出信息1；若电容C 上无电荷, 位线上便没有电流流过, 表示读出信息0 。 14.4.2－1 14.4 动态RAM(DRAM) 14.4.2 单管DRAM 存储电路工作 读出1 信息后, C 上的电荷因转移到C , 已无法维持1 的状态, S D 即所存信息已被破坏, 这种现象称为“破坏性读出”, 读出 1 信息 后必须进行“再生”操作。再生与刷新是两个不同的概念, 再生是 对某一位存储单元读出1 以后, 进行的操作, 而刷新是对动态RAM 中所有存储单元进行的常规定时操作。 14.4.2－2 1