半导体物理与器件课件教学配套课件裴素华第4章MOS场效应晶体管.pdfVIP

第4章 MOS场效应晶体管 4.1 MOS结构与基本性质 4.1.1 理想MOS结构与基本性质 MOS结构指金属-氧化物-半导体结构。 为便于讨论，规定在金属栅上所加电压UG相对于P型半导体衬 底为正，称为正向偏置电压;反之则为反向偏置电压。 MOS 二极管结构a) 透视图 b) 剖面图 1.理想MOS二极管的定义与能带 1）在外加零偏压时，金属功函数与半导体函数之间没 有能量差，或两者的功函数差q φms为零 E q q q( q ) q ( g q) 0 msm s m F 2 UG =0 时理想MOS 二极管的能带图 2）在任何偏置条件下，MOS结构中的电荷仅位于半导体 之中，而且与邻近氧化层的金属表面电荷数量大小相 等，但符号相反。 3）氧化膜是一个理想的绝缘体，电阻率为无穷大，在直 流偏置条件下，氧化膜中没有电流通过。 理想 MOS 二极管不同 偏压下的能带图及 电荷分布 a) 积累现象 b) 耗尽现象 c) 反型现象 2.表面势与表面耗尽区 下图给出了P型半导体MOS结构在栅极电压UG 0情况 下更为详细的能带图。 在下面的讨论中，定义与费米能级相对应的费米势为 ( Ei )EF  体内 F q T N 因此，对于P型半导 ln( ) 0 A  F 体， q ni T N ln( ) 0 D  对于N型半导体， F q ni 静电势ψ的 定义如图所 示 而空穴和电子的浓度也可表示为ψ的函数    q   q   F   F  p P n i exp nP ni exp   T   T