电气测试技术第3版课件教学配套课件林德杰5.3硅压阻式微型压力传感器.pdfVIP

5.3 硅压阻式微型压力传感器 5.3.1 硅盒制作工艺简述 5.3.2 普通型单片集成压力传感器 5.3.3 具有温度补偿功能集成压力传感器 5.3.4 频率输出型压阻式集成压力传感器 5.3.5 集成压力传感器 MPX3100 5.3.6 MPX7000 系列压力变送器 5.3.7 扩散硅差压变送器 5.3.1 硅盒制作工艺简述 图5-10为硅盒式集成压力传感器芯片剖面图，采用硅盒结构将压敏元 件与CMOS信号调理电路集成在同一硅芯片上制作微型压力传感器。 其制作工艺简述如下： （1）首先在下层硅片表面通过掩蔽腐蚀方法形成深10 ，长和宽各60 的凹坑。 （2 ）将上层硅片与下层硅片在1150℃高温下烧结键合在一起便形成 一个参照压力空腔。 （3 ）将上层硅片减薄至30 ，并将便面抛光，通过光刻对中方法在参 照压力空腔上方的硅膜片上用离子注入工艺形成压敏全桥。 （4 ）用标准CMOS工艺在参照压力空腔周围的上层硅片上制作具有各 种功能的信号调理电路。最后将引脚引出和封装，形成单片集成微型 压力传感器。 图5-10 硅盒结构集成压力传感器剖面 5.3.2 普通型单片集成压力传感器