SiOx薄膜中NC-Si发光机制地研究.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.2千字
约 2页
2017-08-17 发布于安徽
举报
版权申诉

SiOx薄膜中NC-Si发光机制地研究.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

2005年11月第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议珠海 Siox薄膜中NC—Si发光机制的研究丁璐，葛惟锟香港科技大学物理系，香港王晓欣，王启明中国科学院半导体研究所，北京摘要：本文对比生长在不同SiO；薄膜中之两种硅纳米晶(NC—si)的近红外光荧光特性，并对其发光机制作出定性分析。SiO，薄膜是在电容耦合式超高真空PECVD系统中，退火条件下(氮气气氛，1150。c)退火1小时制备而成。通过透射电子显微镜(TEM)照片，可以清楚观察到NC—si颗粒。NC—Si的平均颗粒尺寸在Si浓度高的D3样品比在si 浓度低的D4样品中大。室温光致发光实验(激发光源为488nmAr离子激光器)观察到两个样品的荧光发光峰的位置均出现在远高于本征Si带边能量的位置。室温下(300k) D3的荧光峰位于860nm，D4的荧光峰则位于能量更高的位置780hm，与目前文献Ⅱ1报道的数据相吻合。不难发现荧光峰位置与样品中NC-Si尺寸有关，表现出较为明显的量子限制效应。低温样品荧光峰的半高宽都比较大，应由NC-Si尺寸不均匀导致。变温(10K ’300 K)近红外光致发光实验中，D3和D4样品荧光峰随温度变化趋势亦不相同。D4表现出正常的随温度升高而红移的特性，而D3基本上不随温度变化。本文认为D4所表现出来的辐射复合主要是来自于Nc—si内部量子限制效应；而D3的辐射跃迁与Si／SiO。界 et 面态的存在有很大关联。用G．G．Qina1．的模型嘲能够较为理想地解释该现象。 420— 2005年11月第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议珠海参考文献： Corrado Franzo，and [1]：FabioIacona，Giorgia 1295(2000) 一 [2]．G．G．Qin，andY．J．Li，Phys．Rev．B．68，85309(2003)． 421