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InSb表面的损伤层研究 曾凌霞 李玉峰 (华北光电技术研究所 北京100015) 摘要：本文通过采用x射线双晶衍射的方法，对经过研磨、抛光的InSb晶片进行检测，研究 晶片表面损伤，得出损伤层的大致范围，并把实验结果运用于实际工作中． 关键词：InSb；x射线双晶衍射半峰宽；损伤层 1引言 红外制导技术的发展： lnSb红外探测器己从单元(适合采用调制盘的红外点源制导技术)发展至InSb多元线列(采用 光机扫描体制的第～代红外成像导引头技术)再发展到lnSb焦平面探测器(凝视工作模式的第二代 成像导引头技术)。已有报导，红外先进的短程空一空导弹(ASRAAM)装备了128X1281nSb焦平 面探测器。 L 众所周知，InSb是一种窄禁带化合物半导体材料，探测器的性能好坏很大程度上取决于晶体表 面的结构完整性。由于工艺过程中的切、磨、抛都会造成晶面的损伤，我们采用了x射线双晶衍射 技术对不同研磨、抛光条件下的晶片进行了溯量，得到了损伤层的大致范围，确定了研制探测器的 ．Ii艺条件，并取得了较好的结果。 2实验与结果 x射线双晶衍射技术是一种高灵敏度、无接触的检测技术，可从x射线双晶衍射的回摆曲线的 半峰宽火小、确定其晶体的完整性． 2．1实验 曲线并求出其半峰宽(FWHM)． 2．2晶片减薄的过程为：机械磨削一机械化学抛光 对样品进行研磨，去掉一定厚度后，表面呈灰色，在测厚显微镜下为均匀的毛玻璃状，无划痕，用 双晶衍射仪测量后，回摆曲线见图l，相应的FWHM值为185．76弧秒。研磨能去除上一道工序中的损 伤，但会引起表面晶格破坏。经多次试验得知，在研磨阶段，减薄厚度100pm，其半峰宽在150～190 弧秒之间。 lnkrblMop0 图1 抛光：I：序采用机械化学抛光的方式。抛光后的样片表面为光亮、镜面、无划痕、坑点。在相同 的上艺条件r，把样片抛去不同的厚度，测量其回摆曲线(附图2、3)。 Intcn$iMc嘲 图2 ln侍nsiM叩钉 ； ，i · ． · 八 ． 。 J．～ ． ． 图3 通过x射线双晶回摆曲线得出相应的回摆曲线的FEHM值，整理后得到下面的曲线 通过曲线可以看出t研磨的损伤在抛去～定值以后就趋近不变了，抛光能减小研磨引进的表面 损伤·但并不能完全去除，因此应该对样品作进一步处理以减小样片损伤。表1为工艺的操作及结 果。 步骤 处理方法 F删(arcsee)7．4X7．4m l 方法l 42．84 2 方法2 32．4(见图4) 3 方法3 28．44(见幽5) 4 方法4 38．52(见图6) 由表l可以看出，随着处理方法的政变，样黼的’}峰宽逐渐F降(参看幽4、幽5)，这说明晶片 表面的损伤逐渐减小，但是，如果处理方法不当，j}峰宽还会增人(参看幽6)，表面质鬣随之F降· 这就表明对晶片的处理要恰当．在操作过程中要严格控制．I：艺条件·才能得到理想的表面· 图4 lnⅫm廿嘲