Ag-TCNQ电双稳薄膜的疲劳与锻炼效应研究.pdfVIP

1054 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 Ag-TCNQ 电双稳薄膜的疲劳和锻炼效应研究∗ 蒋益明，谢亨博，郭 峰，万星拱，李 劲 (复旦大学 材料科学系, 上海 200433) 1 摘 要：用真空蒸法的方法制备了Ag-TCNQ 电双稳 转变规律进行进一步细致的研究以澄清阻抗转变机 薄膜。研究了在不同的电压作用下薄膜的阻抗转变规 理是非常有必要的。 律。发现了阻抗转变过程中的疲劳和锻炼效应：即用 详细的电特性研究的主要困难之一是如何获得 连续的高于阈值的窄电压脉冲作用于薄膜后，薄膜阻 性质均匀的电双稳薄膜。我们在成功解决这一问题的 抗转变弛豫时间缩短；而用低于极限电压的脉冲连续 基础上，对Ag-TCNQ 薄膜电性质的不同方面进行了 作用于薄膜后，薄膜阻抗转变弛豫时间变长。从阻抗 系统的研究，发现了双稳态转变中的能量效应[12] 、非 转变的能量效应出发，通过外电场的作用导致分子取 线性阻抗效应[13] 、以及跃迁参数的外电路依赖性[14] 向的弹性和塑性形变讨论了薄膜电阻跃迁的机理。 等。本文在这些工作的基础上，进一步研究了不同激 关键词：Ag-TCNQ 薄膜；阻抗转变；疲劳效应；锻 励电压及加载过程对薄膜电双稳变化的影响规律。即 炼效应 采用不同的激励电压作用于薄膜，详细考查幅度和脉 中图分类号：0484.4+2 文献标识码：A 宽低于原始反转条件的电压脉冲对后续电双稳参数 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-1054-03 的影响，发现了阻抗转变过程中的疲劳和锻炼效应。 这些结果对于深入研究薄膜电双稳转变机理及所制 1 引 言 器件的应用都具有重要意义。 近年来，分子电子学的兴起掀起了有机分子材 2 实 验 料、聚合物材料以及生物材料等分子功能材料在电子 [1~5] -3 学领域中应用的研究热潮 。这些分子材料具备独 1 x 10 Pa 真空条件下，在洁净的玻璃基板上采 特的电、磁和光学性能，在某些方面可以克服常见的 用真空蒸发的方法依次蒸镀Ag 和TCN Ｑ，经固体扩 硅集成电路中的缺点，如功率损耗较大、器件集成度 散反应后生成均匀的Ag-TCNQ 薄膜。薄膜厚度由石 的限制等。1979 年Potember[6]等发现具有电双稳特性 英晶体振荡测厚仪在线监控，所用镀膜机为北京仪器 的金属有机络合物材料 Ag-TCNQ ，在激光辐射或外 厂 DM-450A 型真空镀膜机；利用透射光谱仪（CVI 电场的作用下，材料可以从高阻抗转变成低阻抗，同 公司SI240 型）测量了薄膜的透射光谱。 时发生光谱特性的改变，并且变化可逆。由于它在光 薄膜的电性能测量是在一种Al/Ag-TCNQ/Ag 的 电开关、超高密度信息存储等方面的潜在应用价值而 三明治结构下进行的，Al 电极形状由掩膜控制。底 被广泛研究[7~11] 。现有的研究工作主要集中在不同的 部为一狭长铝条作为公共底电极，中间镀一层 膜层结构设计、不同的制备方法、双稳态转变激励方 Ag-TCNQ 薄膜，完全覆盖底电极，顶部再镀上细条