应用于微电子机械系统中多孔硅地研究.pdfVIP

1728 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 应用于微电子机械系统中多孔硅的研究* ∗ 1 1 2 1 1 崔 梦 ，胡 明 ，雷振坤 ，窦雁威 ，田 斌 （1. 天津大学 电子信息工程学院，天津 300072 ；2. 天津大学 机械学院力学系，天津 300072 ） 摘 要：针对多孔硅在 MEMS 中作为牺牲层和绝热 文章针对多孔硅的以上两个应用，采用双槽电化学腐 层的应用，主要研究了电化学腐蚀法制备多孔硅的实 蚀的方法制备多孔硅，在大量实验基础上研究了不同 验条件与多孔硅深度及其孔隙率间的关系，实验发现 制备条件对多孔硅层的厚度、孔隙率的影响并就其规 电化学腐蚀法制备多孔硅的腐蚀速率在腐蚀前期阶段 律进行了分析。此外，还针对多孔硅形成后易于发生 基本是一定值( 电流密度为80mA/cm2 时为 1.3µm/min, 龟裂的现象对其内部残余应力进行了简要的分析。 电流密度为40 mA/cm2 时为0.4µm /min) ，但到腐蚀 后期阶段随着孔深的增加有所下降。同时发现对于不 2 实 验 同的腐蚀电流密度，多孔硅的孔隙率都有随腐蚀时间 试样采用单面抛光的 P （100 ）单晶硅片，厚度 的延长先增加后降低的趋势，用Beale 模型可以很好 -2 为380~420µm，电阻率为(1~2)×10 Ω•cm 。在进行腐 的解释这一现象。最后，针对多孔硅在制备后易发生 蚀试验前要对硅片进行预处理，首先将样片放入配制 龟裂的现象，用拉曼光谱分析了多孔硅的内部应力情 好的清洗液 （体积比H SO :H O = 3 : 1）中，在室温 况，结果表明随多孔硅孔隙率的上升其内部残余应力 2 4 2 2 条件下浸泡，直至不起反应为止，以除去表面的有机 有增加的趋势。 污染物，然后用二次去离子水冲洗干净，再分别用丙 关键词：多孔硅；微电子机械系统；腐蚀速率；孔隙 酮和乙醇进行超声波清洗以清除表面残留的杂质，再 率；残余应力 在20% 的HF 溶液中浸泡一定时间以除去表面的氧化 中图分类号：TN402 文献标识码：A 层，用去离子水冲洗干净后放入乙醇中备用。电化学 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-1728-03 腐蚀液中浓度为 40% 的氢氟酸与无水乙醇的体积比 1 引 言 为 1:1。质量的测量采用LIBROR AEG-120 型电子 天平，残余应力采用Ranishaw RM2000 型显微共焦 近几年来，随着微电子机械系统(MEMS) 的不断 拉曼光谱仪进行