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三氟化氮特种气体及其潜在优势的研究 杨彦 中核红华特种气体股份有限公司 摘要本文通过对三氟化氮特种气体理化性质、气体制备方法、纯度分析、毒性和检测、气体管 理及存储、以及杂质的清除等的论述，阐明T--氟化氮作为一种干气体蚀刻剂有潜在的优势，特别 是用于需要高蚀刻率时。在通常条件下，可进行方便的管理。 关键词：三氟化氮新型蚀刻剂优势研究 目前，三氟化氮正被研究作为一种半导体干气体蚀刻剂。这是因为它有很高的蚀刻速率和选择 性。由于这种气体刚用于电子工业，故本文将对该化合物的物理和化学性质加以论述，并提供管理 NF3的资料，以及检漏和清除渗漏物的方法。 在半导体生产过程中，对于要得到线宽为2微米或更细的产品，干蚀刻技术已成为一种普遍的 方法。被广泛研究的氟碳化合物等离子体对多晶硅和二氧化硅已成为一种重要的蚀刻剂。但是，由 于半导体生产技术的日新月异，故为开发新型的干气体蚀刻技术正在广泛地进行探索。NF。是可望作 为干气体蚀刻剂用的一种特殊气体。基于NF3的放电以离子反应开式腐蚀硅，由副反应产生的副产物 其组成仅仅是易挥发的化合物。所以，比用碳氟化合物等离子体蚀刻沉积在硅表面的聚合物更少。 可以相信，随着反应动力学的质量迁移幅度的减少而加速了硅反应速率。总而言之，．E述一系列优 点，正是促使继续探索用NFs作为千气体蚀刻剂的主要动力。 用NF3研究干蚀刻表明，对多晶硅的蚀刻速率高。并且多晶硅比二氧化硅腐蚀的选择性好。 择性。蚀刻系统的整体特性表明，在硅蚀刻速率和选择性这两方面都很容易满足加工过程的要求。 表1 反应离子蚀刻的选择性 选择性8 混合气体 200瓦 500瓦 CFl 5．7 2．9 4％0z+CFt 8．3 4．0 116 20％NF3+Ar 21．0 14．2 ※ CF4 4％02JcR 3T50 0000 彘 |毫 0 * 删 湖 盛 世 瑚 。 功率(瓦) 图l 硅的蚀刻速率与功率之间的关系 RIE，80毫乇 三氟化氮曾大量成功地被用作化学激光器的氟源。采用NFs而不采用F2，其原因是在常温下NF。 比较容易处理。因而，NFs的贮存和处理都不需特别的预防措施，而大量使用氟则需要非常小心。就 电子工业来说，NFs是一种新型气体，可利用的数据和处理方面的经验很少，为此，本文下面将阐述 其物理和化学性质，并介绍其处理的方法。 1．物理性质 发霉或刺激性的气味。在表2中列出了有关NF。的一些物理性质。 表2 NF。的物理性质 沸点(1atm) —129．O。C(一200．25。F) 熔点 一206．8℃(一340．24。F) 密度 气体(1atm，259C) 2．98 lb／ft3)