UO2中铌行为模拟计算探究.pdfVIP

四川省核学会放射化学与化工2006年学术交流会 U0：中铌行为模拟计算研究 张永彬 (表面物理与化学国家重点实验室，绵阳市718信箱35分箱，621907) 摘要通过拟合Nb205的晶体结构建立了铌的经验势。模拟计算孤立铌杂质表明：最近邻 48，小 Nb—o间距为2．13(A)，均匀向Nb靠近。近邻Nb——u间距为3．84，次近邻Nb—dJ间距为5 于正常晶格的U—o间距以及U—U闻距，但改变不丈。铌附近同隙原子形成能全部增加。铌对周 围氧原子旆加了额外的束缚，氧间隙形成能随着Nb—o距离的增加而减小，但是部大于完整的u02 的氧间隙形成能。少量铌元素的弓【入其影响范围可以扩大很多，采用静态过渡态理论计算的bib的 空位机制扩散激括能为676eV，u鸽中铌的扩散几乎不可能。多个铌杂质计算表明：铌离子倾向于 团聚，形成替位缺陷簇。根据上面的模拟计算可咀看出基于以上分析我们提