基于BCD工艺的高压LDMOS设计和研究.pdfVIP

四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会论文集 2012年12月 基于BCD工艺的高压LDMOS设计与研究 张广胜1，何乃龙2，方健1，张森2 1．电子科技大学功率集成技术实验室四川成都，610054 2．华润上华半导体有限公司江苏无锡，214000 等TCAD工具对器件结构进行计算机模拟设计，从而得到了在击穿电压与SRNLDMOS相同击穿电压，但导通电阻比其小近 30％。最终在0．8um 比导通电阻与仿真结果相符合。 关键词NLDMOS：击穿电压：比导通电阻；工艺窗口 中图分类号TN386．1 文献标识码A and ofHV-LDMOSinBCD investigation process Design Sen2 Z