CF4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究new.pdfVIP

第 26 卷 　第 7 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 7 2005 年 7 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J uly ,2005 CF 预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究 4 刘 　倜 　欧 　文 ( 中国科学院微电子研究所 , 北京 　100029) 摘要 : 嵌入式 Flash Memory 要求低的工作电压. 采用反应离子刻蚀技术 ,用 CF4 气体在低功率下对硅片做预处 理 ,再热生长薄氧化层 ,从而在氧化层中引入 F , 降低氧化层势垒 :势垒高度从 305eV 降低到 25eV ,隧穿电流增 加 ,从而可以在低压下提高 Flash Memory 的编程效率. 关键词 : Fla sh memory ; 漏电流 ; 电子势垒 ; F 化隧穿氧化层 EEACC : 0520 ; 2