氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响.pdfVIP

　第 25 卷第 8 期 半　导　体　学　报 . 25, . 8 V o l N o 　2004 年 8 月 CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S A u g. , 2004 氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响 崔　灿　杨德仁　马向阳　余学功　李立本　阙端麟 (浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州　3 10027) 摘要: 研究了氮在退火过程中对直拉硅片中的氧沉淀分布的影响. 实验结果表明, 三步退火后在掺氮硅片截面形成 特殊的M 形的氧沉淀密度分布, 即表面形成没有氧沉淀的洁净区(D Z) , 体内靠近D Z 区域形成高密度、小尺寸的 氧沉淀, 而在硅片的中心处形成低密度、大尺寸的氧沉淀. 分析认为, 由于在第一步高温退火过程中氮在硅片表面 外扩散, 同时在硅片体内促进氧沉淀, 改变了间隙氧的分布, 从而导致在随后的热处理过程中氧沉淀的特殊分布行 为. 关键词: 掺氮; 直拉硅; 氧沉淀; 退火 : 6280 ; 6 170 ; 6 170 PACC C Q T + ( ) 中图分类号: TN 304 1 2　　　文献标识码: A 　　　文章编号: 02534 177 2004 08095 105 进氧沉淀[7, 8 ] 的生成, 有利于提高硅片的内吸杂能 1　引言 力, 因此掺氮直拉硅单晶在工业上得到了良好的应 用. 我们在以前的工作中发现, 在N CZ 硅中通过一 在直拉硅单晶( ) 的生长过程中, 由于坩埚 [9, 10 ] CZ Si 步高温退火处理能得到较好的洁净区 . 这是由 的溶解, 导致在硅单晶中存在一定浓度的氧. 氧不但 于氮在高温处理的时候也会外扩散, 而且扩散的速 能大大提高硅片的机械强度, 而且在退火过程中会 率比氧大得多[ 11 ] , 硅片表面氮浓度很低, 不会对氧 在硅片体内生成大量的氧沉淀, 从而有效地吸除硅 沉淀行为有影响; 但是, 体内较高浓度的氮能够促进 片表面的金属杂质, 大大提高了集成 电路的成品 氧沉淀的形核, 降低了氧沉淀的浓度阈值, 促进体内 [ 1 ] 率 . 通常的内吸杂工艺是通过高低高三步退火 氧沉淀的生成, 因此一步高温热处理后在硅片的表 实现的. 第一步高温退火是让硅片表面的氧外扩散, 面形成洁净区, 而体内形成高密度的氧沉淀. 使硅片近表面的间隙氧浓度成余误差函数分布, 随 然而, 一步高温热处理后N CZ 硅片中氮氧的浓