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2017-08-17 发布于湖北
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氮气退火光电特性的影响.pdf

·30· 材料导报B：研究篇氮气退火对氧化镍薄膜光电特性的影响。赵启义，祁康成，赵荣荣，张国宏 (电子科技大学光电信息学院，成都610054) 摘要利用磁控溅射法，在K9玻璃基底上沉积氧化镍(NiO)薄膜。采用不同温度时氧化镍薄膜进行氯气退足，使用UV1700型分光光度计、JSM-6490LV型扫描电子显微镜、四探针电阻计等分析退火后氧化镍薄膜性能的变化。实验结果表明。500℃退必范围内．氧化镍薄膜的透过率随退火温度的升高明显增加，400℃时透过率达到最大在80％以上，且光学带隙最小，结晶度较高，薄膜成分变化较小．更适于太阳电池窗口层的应用研究。关键词磁控溅射NiO薄膜氮气退火中图分类号：TN304．2 文献标识码：A of onthePhotoelectricCharacteristicofNiOThinFilm Effects NitrogenAnnealing ZHAO Rongrong，ZHANGGuohong Qiyi，QIKangcheng，ZHAO of ofElectronicScienceand ofChina，Chengdu610054) (School Information，University Technology Optoelectmnic NiO onK9 substrate differenttern— Al鸺tractThinfilmsof were glass by deposited rnagnetronsputtering．At thinfilmwasannealedin UV一1700 searmingdee- peratures。NiO nitrogen．Usingspectrophotometer，JsM-6490LV resistancemeter ofNiOfilm after in was troll ete，thechange annealingnitrogen microscopy，four-probe properties showthatthetransmittanceofNiOfilmincreases withthe of analyzed．Tests significantlyrisingannealingtempera— 500t2．Whenthe was400℃．the thenlaximum，wasabove80％and tureunder temperature transmittance，achieving the was andthe ofthethinfilm the band WaStheminimum．Also composition changed opticalgap erystallinityhigher Iittle．SOitiSmoresuitablefor researchofsolareellwindow applied Iayer． words