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测量大功率LDMOS晶体管特性的TRL校准方法研究.pdf
Vol. 34,No. 3 JournalofSemiconductors March2013
Athru-reflect-linecalibration for measuringthecharacteristicsofhighpower
LDMOStransistors
WangShuai(王帅),Li Ke(李科),Jiang Yibo(姜一波),Cong Mifang(丛密芳),
Du Huan(杜寰),and Han Zhengsheng(韩郑生)
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029,China
Abstract: The impedance and output power measurements of LDMOS transistors are always a problem due to
their low impedance and lead widths. An improved thru-reflect-line (TRL) calibration algorithm for measuring
the characteristics of L-band high power LDMOS transistors is presented. According to the TRL algorithm, the
individualtwo-port parametersofeachfixturehalfcanbeobtained.Byde-embeddingthese parametersofthe
test fixture, an accurate calibration can be made. The improved TRL calibration algorithm is successfully utilized
to measure the characteristics of an L-band LDMOS transistor with a 90 mm gate width. The impedance of the
transistor is obtained, and output power at 1 dB compression point can reach as much as 109.4 W at 1.2 GHz,
achieving1.2W/mmpowerdensity.Fromtheresults,itisseenthatthepresentedTRLcalibrationalgorithmworks
well.
Keywords: thru-reflect-line; lateral double-diffused MOSFET; low impedance test fixture; impedance; output
power
DOI: 10.1088/1674-4926/34/3/034005 EEACC: 2570
themechanics.ThepresentpaperdescribestheimprovedTRL
1. Introduction
algorithmandtheimpedanceofthehighpowerLDMOStran-
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