测量大功率LDMOS晶体管特性的TRL校准方法研究.pdfVIP

测量大功率LDMOS晶体管特性的TRL校准方法研究.pdf

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测量大功率LDMOS晶体管特性的TRL校准方法研究.pdf

Vol. 34,No. 3 JournalofSemiconductors March2013 Athru-reflect-linecalibration for measuringthecharacteristicsofhighpower LDMOStransistors WangShuai(王帅),Li Ke(李科),Jiang Yibo(姜一波),Cong Mifang(丛密芳), Du Huan(杜寰),and Han Zhengsheng(韩郑生) Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029,China Abstract: The impedance and output power measurements of LDMOS transistors are always a problem due to their low impedance and lead widths. An improved thru-reflect-line (TRL) calibration algorithm for measuring the characteristics of L-band high power LDMOS transistors is presented. According to the TRL algorithm, the individualtwo-port parametersofeachfixturehalfcanbeobtained.Byde-embeddingthese parametersofthe test fixture, an accurate calibration can be made. The improved TRL calibration algorithm is successfully utilized to measure the characteristics of an L-band LDMOS transistor with a 90 mm gate width. The impedance of the transistor is obtained, and output power at 1 dB compression point can reach as much as 109.4 W at 1.2 GHz, achieving1.2W/mmpowerdensity.Fromtheresults,itisseenthatthepresentedTRLcalibrationalgorithmworks well. Keywords: thru-reflect-line; lateral double-diffused MOSFET; low impedance test fixture; impedance; output power DOI: 10.1088/1674-4926/34/3/034005 EEACC: 2570 themechanics.ThepresentpaperdescribestheimprovedTRL 1. Introduction algorithmandtheimpedanceofthehighpowerLDMOStran-

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