1.1电子技术.docVIP

引入新课： 一、课程特点： 1、非常接近工程实际 2、分析方法独特 1）近似估算，等效； 2）图解； 3）电路仿真； 4）实验验证。 二、学习方法及要求 1、作好预习； 2、带着问题听课； 3、独立完成作业； 4、重视实践环节； 讲授新课 半导体二极管 §1.1 半导体的基本知识 半导体的基本概念 什么是半导体 自然界中的物质按导电能力强弱不同可分为导体、绝缘体和半导体三大类。 导体：有导电能力的物质称为导体，金属一般都是导体，如铁、铜、铝等。 绝缘体：几乎没有导电能力的物质称为绝缘体，如橡胶、陶瓷、塑料和石英。 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 半导体的导电特性 半导体的导电能力虽然介于导体和绝缘体之间，但是半导体的应用及其广泛，这是由半导体的独特特性所决定的： 光敏性——半导体受光照射后，导电能力增强，电 阻减小 热敏性——当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显增强，电阻减小。 掺杂性——往纯净半导体中掺入某些杂质，会使其导电能力明显增强，电阻急剧减小 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 最常用的半导体为硅（Si）或锗(Ge),它们的共同特征就是四价元素，也就是每个原子最外层电子数都是4个，它们排列成非常整齐的晶格结构。 在本征半导体的晶格结构中，每个原子均与相邻的四个原子结合，即与相邻四个原子的价电子两两组成电子对，构成共价键结构 在绝对零度以下，本征半导体中无活跃载流子，不导电 杂质半导体 由于本征半导体的导电能力很弱，我们可以利用半导体的掺杂性，增强半导体的导电能力。 ▲ N 型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑）而形成。也称为（电子半导体）。多子为自由电子 ▲ P 型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼(或铟)而形成，也称为（空穴半导体）。多子为空穴 注：杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。 PN结及其单向导电性 PN结 把P型半导体和N型半导体用特殊的工艺使其结合在一起，就会在交界处形成一个特殊的薄层，此薄层称为“PN结” P型半导体 N型半导体 P区 空间电荷区 N区 在P型和N型半导体交界面的两侧，由于载流子浓度的差别，N区的电子必然向P区扩散，而P区的空穴要向N区扩散。P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子，这些离子被固定排列在晶格上，不能自由运动，所以并不参与导电，这样，在交界面两侧形成一个带异性电荷的离子层，称为空间电荷区，并产生内电场，其方向是从N区指向P区，内电场的建立阻碍了多数载流子的扩散运动，随着内电场的加强，多子的扩散运动逐步减弱，直至停止，使交界面形成一个稳定的特殊的薄层，PN结。（又称为耗尽层） （PN结是制造半导体二极管、半导体三极管、场效应管等各种半导体器件的基础，为了更好的学习半导体器件的特性和作用，我们先来学习一下PN结的特性。） 2、PN结的单向导电性 （1）PN 结外加正向电压：P 区接正、N 区接负电压 (2) PN 结加上反向电压：P区加负、N 区加正电压 结论：PN结具有单向导电性，即正向导通、反向截止。 小结：1、了解一些基本概念（半导体、本征半导体、杂质半导体、P型半导体、N型半导体、PN结）。 掌握半导体的导电特性（热敏性、光敏性、掺杂性）。 3、牢记PN结的单向导电性（正向导通、反向截止）。 作业：习题册 引发注意，激发兴趣 10分钟 20分钟 教师讲解 学生记忆 30分钟 复习前面知识，引发学生注意 介绍原理 5分钟 15分钟 随堂完成 表JX-2 教 案 纸 第 4 页 耗尽层即PN结 变薄 外电场 内电场 N P 结论：P N 结导通 结论：P N 结截止 变厚 外电场 内电场 N P