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电介质分子极化率的计算.pdf

维普资讯 1 辽宁师范大学学报 (自然科学版) I99I 第1^鞋 第3期 JournaloyLiaonin# NormalUniversity (NaturalScience V0I.Il№ 3 电介质分子极化率的计算 陈忠林 (物 理 系 ) 摘要 讨论了电舟质中的分子场和宏观场以厦它们之间的区别.然后队徽观角度利用几种菏单 的分子模型计算了诱导偶8t-Y的分子极化率.最后,讨论在分子场 中有极分子的分子撅化 率. 关键词 分子场,分子极化率,宏观扬,诱导儡板矩 中围分类号 0441.6 对于分别 由无极分子、有极分子构成的电介质来说,其分子的极化率具有不相 同的表 示式.由无极分子构成的电介质的分子极化率与电介质的性质,分子结构相关联.而对 于由有极分子组成的电介质分子极化率不仅与分子的偶极矩有关还与温度等困素有关. 对无极分子的极化率可理解为,一个无极分子 (似弹性分子)在分子场茸 中形 成诱导 偶极子,并视其为线性的.由胡克定律 [iiF=柚 , 为似弹性偶极子的 “倔强 系数, 6为形变.分子 的诱导偶极矩 一 ,而F= 茸 ,则 6=口茸一/,可得 = 目一/= 茸。, , 其中n 称为 电介质中分子场或称为有效场 [2】.它是除了分子m在该点产生的电场外,所 有 自由电荷和极化电荷在该点所产生的电场 .a称为电介质的分子极化率. 电介质中的分子场 及平均场茸. 将介 电常数为 e的电介质充满平行板 电极之间,在电介质 内以m分子的中心位置为 球心,以r为半径控出一球形空腔.m处的分子场由四部分电荷产生 ;极板上 自由电荷产 生的电场茸I=crn/eo}电介质表面极化电荷产生的电场为Et一一 ∥00,空腔 内表面极化 电荷在m点产生的电场为日,设P为极化强度, ,-PeosO,可求得茸s=v/3e0,第四部 分为球 内电偶极子在m点产生的场强; f . ^ ^ ^ 日亩 青 (2cos 咖OtOh), 其中 是分子诱导偶极矩, 是从分子至第 分子的矢径,0 是 与 之间夹角, 是 极化球分子数.对于各向异性的电介质 日不能相消,而对于各向同性 电介质日为零.我 们讨论的是各向同性电介质,日相消为零.这样,分子所在处分子场为 E = I+茸i+马+E4=D / —P/e~+Pl3eo=D/e0—2v/3 . 又因为D一 E+P,代入上式中 茸 一 目+P/3e0, 其中茸是作用在介质中某一分子的分子场(有效场),E是电介质中任意点的宏观场 (平 收耩月期l1990—08—15 维普资讯 252 辽宁师范女学学报 (自然科学版) 第l4卷 均场) .分子场有别于平均场 ,分子场比平均场 多了一个 附加 电场p/3eD.从分子场对分 子的极化作用可确定宏观极化率 与微观分子极化率a间关系.电介质是 由分子极化率 为a的分子构成的,电介质的电极化强度P是单位体积内分子 电矩的矢量和,每个分子 的电矩 =aE .若各向同性均匀极化的电介质单位体积分子数为N ,则 ● + —— — P=N 一N aE , … E 一日+P/3~0,

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