电沉积法制备CIGS薄膜的工艺研究.pdfVIP

第 卷,第 期 安 徽 化 工 , 33 6 Vol.33No.6 32 年 月 2007 12 ANHUICHEMICALINDUSTRY Dec.2007 电沉积法制备CIGS薄膜的工艺研究 吴世彪,徐 玲 (安徽建筑工业学院材料与化学工程学院,合肥 ) 230601 摘要:电镀液中GaCl的浓度对电沉积法制备的CIGS薄膜光电性能有明显的影响,通过研究样品的开路光电压,找到了最优浓度。用退 3 火工艺处理样品,可以获得平滑、致密的薄膜,且能增大薄膜中CIGS的结晶程度和含量。通过测试CIGS薄膜的XRD图谱,得知薄膜晶 型为黄铜矿型。 关键词:电沉积; ;退火; CIGS XRD 中图分类号: + 文献标识码: 文章编号: ( ) TM911.13⑦ A 1008-553X200706-0032-03 1引言 氯化铜,二氧化硒,氯化钾,氯化铟,氯化镓,无水乙 近年来,一种光电性能比铜铟硒( 或 )薄 醇,盐酸,柠檬酸,氮气(99.999%),蒸馏水,多硫化物水 CuInSe CIS 2 溶液 (溶液中溶解的 、升华 、 的浓度均为 NaS SNaOH 膜太阳电池更加优越的化合物薄膜太阳电池已经出现, 2 )。实验所用化学试剂均为分析纯。 这就是以铜铟镓硒(或 )半导体薄膜为阳光吸收层 1.0mol/L CIGS , [12] 2.2实验过程 的高效太阳电池,称为铜铟镓硒电池 。CIGS半导体 薄膜就是在铜铟硒 的基础上,掺入 元素,使 2.2.1电镀条件 CuInSe Ga 2 取代部分同族的 原子。通过调节 ( )的摩 电解池采用的是三电极体系,对电极为碳棒,参比 Ga In Ga/Ga+In 尔比可以改变 CIGS的带隙,调节范围为 1.04eV到 为饱和甘汞电极,工作电极为导电玻璃,电镀面积为 2。电镀液的溶剂为蒸馏水,溶质为 、 、 。 的结构仍然是黄铜矿型,光电转化效率比 1cm CuClInCl 1.72eV CIGS