电致发光成像技术在硅太阳能电池.pdfVIP

第 卷第 期 发 光 学 报 年 月 文章编号 电致发光成像技术在硅太阳能电池 隐性缺陷检测中的应用 李艳华 潘 淼 庞爱锁 武智平 郑兰花 陈朝 厦门大学 物理与机电工程学院 福建 厦门 厦门大学 材料学院 福建 厦门 厦门大学 能源研究院 福建 厦门 摘要 论述了一种利用硅太阳能电池在一定偏压下的电致发光 成像来检测硅太 阳能电池隐性缺陷的方法 硅太阳能电池的波长范围为 正向偏压下的光强反映了 少数载流子的浓度及其扩散长度而反向偏压下的区和发光强度对应于电池的缺陷区域和缺陷密度 用 硅相机对硅太阳能电池的快速成像然后根据成像的明暗强度可检测出电池的隐性缺陷 由于 内在缺陷处强度比外在缺陷处受温度的影响更敏感所以可利用电池缺陷处强度随温度变化的差异 来辨别缺陷的类型 关键词 硅太阳能电池 隐性缺陷 硅相机 中图分类号 文献标识码 检测效率较低而且 检测需使用红 引言 外摄像机存在成本较高的缺点 与 检测 硅太阳能电池作为绿色环保的新能源受到 法相比成像只需不到 的成像时间且使用 全世界广泛重视 全球光伏电池产业发展非常迅 相机即可拍摄因此在检测效率和仪器成本 速国内的太阳能电池产业规模也不断扩大 太 方面都优于检测法 阳电池中的缺陷对电池的光电转换效率有很大影 目前国内商品化的太阳能电池 成像检 响外在的缺陷容易察觉但内在的隐性缺陷仅靠 测仪往往仅用于太阳能电池正向偏压下的成 人的肉眼很难辨认 如何能够及时有效地在工业 像电池缺陷检测而本文不仅介绍了太阳能电池 生产过程中检测出硅太阳能电池的缺陷尽快找 正向偏压下的成像缺陷检测还介绍了反向 出造成该缺陷的工艺原因是太阳能电池产业发 偏压下的电池缺陷检测和如何利用温度对电池 展的一个关键问题 缺陷处电致发光强度的影响来辨别缺陷类型 常规的硅太阳能电池缺陷检测技术主要有光 利用温度的影响来辨别缺陷类型需对太阳能电 感生电流 电 池加热所以这项检测一般用于太阳能电池的 感 生 电 流 线下检测然后根据检测结果对在线生产工艺 和红外热成像 做出优化 等方法 和 检测法不 硅太阳能电池与半导体发光二极管一 能直接获得样品的缺陷图像 是在对电池 样在一定偏压下会因载流子的辐射复合而产生 施加反向偏压情况下对太阳能电池表面发出的 发光现象其的波长范围为近红外波段 红外线进行摄像的一种缺陷检测方法 由于电池 发光强度随偏压的增大而增强 正向 表面热量的增加需要一个时间过程所以 偏压下的光强反映了少数载流子的数目和少 收稿日期 修订日期 基金项目 福建省科技厅 年重大科技专项 资助项目 作者简介 李艳华 男 江西吉安人 主要从事