紫外激光与半导体相互作用研究进展综述_刘晨星.pdfVIP

第27卷第2期 光电技术应用 Vol.27，No.2 2012年4月 ELECTRO-OPTICTECHNOLOGYAPPLICATION April，2012 ·激光技术· 紫外激光与半导体相互作用研究进展综述 刘晨星，张大勇 (中国工程物理研究院流体物理研究所，四川 绵阳 621900) 摘 要：紫外激光与半导体相互作用是当今国内外研究的热点。综述了紫外激光与半导体相互作用在光电子产业、激光加 工、激光表面改性等方面的应用。介绍了紫外激光与半导体相互作用的基本原理，总结了紫外激光烧蚀半导体的理论模型，包括 热传导模型、载流子耦合扩散模型、光化学模型、表面热蒸发模型、双温模型、表面充电模型等。总结了关于损伤形貌、烧蚀阈值 和紫外激光损伤半导体机理的实验研究。提出了紫外激光与半导体相互作用可能的研究和新的应用方向。 关键词：激光辐照；半导体；损伤机理；损伤阈值 中图分类号：O437 文献标识码：A 文章编号：1673-1255-（2012）02-0021-06 Research Progress of Ultraviolet Laser Interaction with Semiconductors LIUChen-xing,ZHANGDa-yong (InstituteofFluidPhysics,ChinaAcademyofEngineeringPhysics,Mianyang621900,China) Abstract: Theultraviolet(UV)laserinteractionwithsemiconductorshasaconsiderableinterestinrecent years.TheapplicationsofUVlaserinteractionwithsemiconductorsarereviewed,includingphoton-electronin⁃ dustry,lasermachiningandlasersurfacemodification.ThetheoryofUVlaserinteractionwithsemiconductorsis introduced,andthetheorymodelofUVlaserablationonthesemiconductorissummarized,includingheatcon⁃ ductionmodel,carriercouplingdiffusionmodel,photochemicalmodel,thermalsurfacevaporizationmodel,dou⁃ ble-temperaturemodelandlaserinducedsurfacechargingmodel.Theexperimentalresultsofdamagemorpholo⁃ gy,ablationthresholdandmechanismsofsemiconductordamagedbyUVlaserablationaresummarized.Thepro⁃ posalsofpossibleresearchandnewapplicationfieldofUVlaserinteractionwithsemiconductorsarepresented. Key words: laserirradiation;semiconductor;damagemechanism;damagethreshold 1 紫外激光与半导体相互作用应用概述 紫外激光加工硅技术中无需掩膜，并且处理后 [5-7] 的硅材料表面性质更加优异，因而在电子业 、宽 激光对硅的烧蚀近年来已成为热门的研究课