聚硅烷的离域特性对其光电性能的影响.pdfVIP

2006年第十三届中国有机硅学术交流会论文集 63 聚硅烷的离域特性对其光电性能的影响 马年方，黄世强。 (湖北大学材料科学与工程学院高分子材料重点实验室．武汉430062) 摘要：聚硅烷的许多独特的光电性质都起源于其沿主链广泛离域的电子特性。本文从离域性的角度对 聚硅烷的光学性质(紫外吸收，荧光、非线性光学特性等)、电学性质以厦热致变色性格予阐述。 关键词：聚硅烷，高域性，紫外吸收，光电性质．热致变色 聚硅烷是主链仅由硅原子构成的长链聚合物 也正是电子离域。当聚硅烷用作导电材料时，如 (SiR。R：)。。由于硅原子具有低电负性和3d空轨 何降低能带隙就很重要了，能带隙的大小Eg也 道，且聚硅烷的a电子易离域跃迁，形成大共轭 与电子离域性有关。降低能带隙有两种途径：升 Kuma— 体系，具有