MOCVD沉积Ti和TiN工艺对集成电路互联电阻影响及研究与改善.pptVIP

MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 摘要 随着大规模集成电路的发展，钨(W)以其优良化学及电学特性（其气态的化合物在反应中容易控制且具有良好的孔洞填充能力，同时钨具有很有抗电迁移能力及非常低的电阻率）作为层间互联金属的应用变得越来越广泛，但是由于由化学气象淀积（CVD）而产生的钨具有很高的应力，直接淀积在二氧化硅（SIO2）表面极易剥落而使电路中产生缺陷影响良率，故通常在CVD淀积钨前对晶圆表面进行预处理：淀积一层比较薄的钛与氮化钛复合结构的薄膜来缓释钨的应力并阻挡钨的扩散 ，由于这层薄膜最终是要留在 接触窗的底部并形成低电阻的金属硅化物，故MOCVD TI/TIN 工艺的优劣对接触窗电阻有着很大的影响。 目录 MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 集成电路金属互联技术概述 钨插栓多层结构及其具体工艺 MOCVD 概述 论文研究目的与内容 集成电路金属互联技术概述 MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 集成电路金属互联技术概述 钨插栓多层结构及其具体工艺 MOCVD 概述 论文研究目的与内容 MOCVD沉积Ti/TiN工艺对集成电路互联电阻的影响研究与改善 集