CdTe%2bZnS双层钝化的HgCdTe光伏探测器的制备及性能研究.pdfVIP

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2017-08-16 发布于安徽
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CdTe%2bZnS双层钝化的HgCdTe光伏探测器的制备及性能研究.pdf

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Fabrication and study on the dual-layer passivated HgCdTe photovoltaic detector SUN Tao CHEN Wenqiao LIANG Jinsui CHEN Xingguo HU Xiaoning LI Yanjin Research Center for Advanced Materials and Devices, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Science, Shanghai200083, China Abstract: In this paper, The CdTe+ZnS film was achieved by sputtering and thermal evaporation, and this film was used to passivate the HgCdTe photovoltaic detector. The performance of this device was also achieved. By calculation theoretically, the dark current mechanism of this device was studied and some correlated parameters were also obtained. Keywords: HgCdTe photovoltaic detectordual-layer passivationdark current 1.2 NA 6.59 1015cm-3 Bn 2 nextstars@163.com 79