热发射电镜技术规格及要求.docVIP

热发射扫描电镜技术规格及要求 1、 设备组成、布置方式及用途说明 1.1 设备名称：热发射扫描电镜 1.2 数量： 一套 1.3 场发射扫描电镜主要由以下部分组成： ①主机：热场发射扫描电镜 ②附件：电制冷能谱(EDS)与EBSD一体化系统；离子束镀膜仪；精密切割机；半自动研磨/抛光机；振动抛光机。 1.4 推荐布置方式：开放式布置。 1.5. 电镜主要用于材料的微观形貌观察，要求该设备可以直接对导电（金 属材料、半导体材料）和不导电的材料（陶瓷、塑料、玻璃等）进行观察，以满足研究近似原始状态下相关样品的观察和分析需求；配上能谱仪，可对材料的微区成分进行定性和定量分析及元素线扫描和面分布分析；配上EBSD，可通过实时采集背散射电子以及标定背散射电子衍射花样，快速获取逐点的晶体学结构信息，分析研究材料的晶体取向、微观织构及其相关的材料性能等。 1.6. 能通过程序控制实现自动化检测。 2、 技术指标要求 2.1. 场发射扫描电镜FESEM 场发射扫描电镜作为最关键部件，要求选用国际知名品牌产品。投标文件应对所选用场发射显微镜品牌、特色及技术指标给予详细描述。 1 性能参数 1.1 分辨率 　 　 二次电子像（SE） 15KV 1nm 1KV 1.6nm 　 分析模式（EDS或EBSD分析） 15KV 3nm 　 背散射电子像（BSE） 30KV 2.5nm 1.2 放大倍数 30-800,000× 　 放大倍数误差 ≤3 % 　 调节 自动放大倍数修正功能，放大倍数预设功能；连续可调 1.3 加速电压 0.2-30KV 　 调节 连续可调 1.4 探针电流（束流范围） 4pA-100nA 　 稳定度 优于0.2%/h 　 调节 连续可调 1.5 成像模式 二次电子像；背散射电子像 　 调节模式 二次电子和背散射电子成像系统可以任意比率混合， 自动调节和手动调节亮度、对比度 2 电子光学系统 2.1 电子枪（灯丝） 标书需详细描述本产品的电子光学系统特点 　 　 具有自动对中和启动电子枪功能；在显示器中显示全部发射器参数的状态信息；灯丝寿命优于两年。 2.2 透镜控制系统 需在标书上详细说明透镜控制系统；实现了大小样品的高分辨率。取代机械式可调光阑，避免机械上的误差和人为的误操作。 2.3 物镜光阑 物镜光栏应能自加热自清洁；无需拆卸镜筒即可更换物镜光阑；光阑寿命优于两年。 2.4 电子束位移 扫描旋转、动态聚焦和倾斜校正补充，图像旋转连续调整，工作距离改变自动旋转补偿；样品倾斜时自动聚焦并修正。 3 样品室 3.1 样品台 五轴马达驱动，同时保留各轴手动，移动范围：X≥50mm；Y≥50mm；Z≥25mm；T≥-5～+70°；R=360°连续旋转，电脑控制全对中旋转控制，内置样品防撞警报器 3.2 样品室 最大可装载直径不小于150mm样品；兼容性高，预留了EDS、EBSD以及其他标准扩展接口。 3.3 重复性 重复性：2 μm； 3.4 稳定性 最小步长：90 nm；漂移：在稳定20min后，在 360 s内（样品台不倾斜），样品台漂移小于 40 nm； 3.5 样品台控制 样品台移动：在屏幕图形上用鼠标控制及操纵杆控制；灵敏度与放大倍数相协调；样品台导航：由模拟样品台移动的Smart SEM 图形来进行；接触报警：与屏幕上的信息同时进行音响报警。 4 检测器 4.1 镜筒内二次电子检测器一个和背散射电子检测器各一个；样品室二次电子检测器一个和背散射电子检测器各一个 4.2 样品室红外CCD相机一个 5 电脑控制、数字图像记录系统和标准应用软件 5.1 配置与EDS和EBDS的数据连接通道； 5.2 具有自动控制功能：自动真空控制、自动调节饱和电流、透镜光阑对中、自动调焦、加速电压偏压自动补偿、电子束大小电流自动调整、自动调整扫描速度（根据信噪比）、自动调整对比度亮度、自动消像散。 5.3 图像处理：最大像素不小于4096×3536像素。图像显示：单幅图像显示或4帧图像（SE和BSE,混合像，CCD像）同时显示，双分屏显示（显示电镜工作参数）；图像记录: TIFF, BMP或JPEG; 几何量实时测量（任何倍率下误差低于3%以下)；标准配备多种测量软件工具；图像存取和管理软件；操作软件内建帮助软件，协助使用者查询相关操作步骤；具有产品控制和数据处理的其他标 配功能。 5.4 电镜控制操作软件。 6 控制和数据处理系统 6.1 基于以太网架构的数据传输系统；Intel双核控制和操作计算机系统（要求标书需明确配置）； Windows XP操作系统；中央处理器：CPU：Intel P4 3.2GHz。内存：3.45G；外界接口：串行、并行、SC