含宏观石墨颗粒材料界面位错形态与内耗特征的研究.pdfVIP

第411卷增刊(A) 中山大学学报(自然科学版) vd．41}slr咀(A) SCIE／ClIARUM 6月 ACrA 2N11年 NAfIBIAIIUN UIgIg咖TArlSS【州Y觚锄 蛔．200l 含宏观石墨颗粒材料界面 位错形态及内耗特征的研究+ 魏健宁，韩福生，高俊昌 (中国科学院固体物理研究所内耗与固体缺陷开放研究实验室，合肥230031) 捅要：利用渗流技术在工业纯铝中引人宏观尺度的石墨腰粒，研究该宏观缺陷界面附近的擞观缺陷 (位错)形态及对材料内耗的影响．结果表明，在连续升沮测量过程中，大约在2∞℃附近观察到了一个内 耗峰，其峰位与额事无关，峰高与测量频率的倒散和升温速率近似成直线关系，且表现出正常振I呵效应． 而在没有宏观石墨颗粒增强的工业纯铝样品中无蜂出现．通过透射电子显徽镜(删)观察，发现在石墨 颗粒／基体界面附近存在高密度位错．根据内耗宴验结果和擞观结构特征的观察，认为该内耗峰的机制与基 体和增强物之间因热膨胀系数的不同而诱发的高密度位错以及位错在外加应力作用下的运动有关． 关键词：金属基复台材料；内耗；位错；热应力 文献标识码：^ 中图分类号：1G1ll2；112-115．24 文章编号：11529-6579(200”s1．0214-{B 在金属基复合材料中由于金属基体和增强物 2结果与讨论 之间热膨胀系数存在较大差别，使得材料在翎备 过程中会产生较大的热应变，从而在膊粒／基体 图1所示分别为古有和不古石墨颗粒样品的 界面附近产生高密度位错和残余内应力．本文研 温度内耗谱．对于含石墨颗粒的样品，在约260 究了包含宏观石墨颗粒的工业纯铝材料的温度一 ℃出现一内耗峰。对应的内耗峰处模量出现明显 内耗谱，在连续升温测量过程中约在260℃附近 下跌，该内耗峰现象与Parxini等人在复合材料中 观察到一个低频内耗峰．在透射电子显微镜下观 所观察到的现象非常接近【lJ．而不含石墨颗粒样 察，发现在颗粒／基体界面附近存在高密度的位 品的内耗只是随着温度的增加而缓慢增加，没有 错．根据内耗测量、微观观察和理论分析，认为 内耗峰出现．从图2可以看出，内耗峰的高度随 该内耗峰的产生与基体／石墨颗粒界面附近高密 升温速率增加而升高，峰位则随着升温速率的增 度位错以及位错在外加应力作用下的运动有关． 加而向高温移动． 本文的基本目的是提出在金属基复合材料中位错 产生的源和位错对金属基复合材料阻尼行为的影 响，以便于对高阻尼金属基复合材料的设计提供 理论和实验依据． 1实验 本文所用试样采用渗流法工艺制备．基体为 罢々q日ui目暑}至蛊 工业纯铝，石墨颗粒平均直径约1nm，材料中 石墨颗粒所占体积分数为68％和88％．在多功 能内耗仪上进行试样内耗和相对动力学模量的测 图1’含有和不古宏观石墨麒粒样品的温度-内耗谱 X70．O m 量．条形试样尺寸为2．5m×3．1 m．．透射电镜样品采用标准金相学技术进行减 薄和腐蚀． ·基金项目：国家自然科学基金资助项目(，9卵1049)；内耗与固体缺蹈开放研究实验室资助项目(99—5) 作者俺介：魏健宁(1973一)，男，博士研究生． 收稿日期：．|2000-12-30； 增刊(^) 魏健宁等：台宏观石墨颗粒材料界面位错形态及内耗特征的研究