化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长与其特征研究.pdfVIP

20¨年B．一，瞳 ，I叶．|明●}■化曹-—L●—叫t#．—U鼻—l件和光t●¨忡木●·文 ■E，r九mtm一■“‘—‘●爿o●·议 化学气相沉积4H．SiC同质外延膜的生长及其特征研究 高欣1，孙国胜1，李晋闽1，赵万顺1，王雷1，张永兴2，曾一平2 1中国科学院半导体研究所材料中心北京912信箱100083 F／nail address：giQ；；j912l：§!mi：i!：!1 2兰州大学物理学院兰州730000 延生长。霍尔测试的结果表明，非有意掺杂的外延膜层导电性为n型。XRD测试显示各个样品只在位于26=35．5。附 近出现一个谱峰，表明外延膜是SiC单晶。PL测试发现在28--3．1eV范围内，有很强的4H—Sic的施主一受主对(DAP) 跃迁发光峰，以及自由电子向束缚在受主杂质上的空穴跃迁的发光峰。对于在较低温度下外延的4H—SiC样品，在其 PL谱中也观察到在1．8．2．4eV范围内出现很宽的谱峰。利用室温Raman散射潜分析了SiC的多型体情况。发现在低 结果相吻合。 关悯“璎；4H。辅c’x≮9≮R“～ I．引言 SiC由于其优良的材料特性，例如高击穿电场、高热导率和高饱和漂移速度，很适合低损耗高 点。近年来，SiC材料生长取得了很大的进步，而且报道的SiC器件性能也显示出比传统si和GaAs 器件更好的性能，但为了实现SiC器件的实用化，SiC外延膜的质量仍需进一步地提高。 本文中，我们利用CVD的方法在4H-SiC衬底上进行了同质外延。对沉积后的薄膜，利用x射 线衍射(XRD)分析了薄膜的结晶质量和薄膜的应变情况，利用PL谱分析了薄膜中存在的杂质和 缺陷以及利用Raman谱分析了外延膜的多型体情况。 2．实验 同质外延生长是利用常压化学气相沉积(Al℃VD)的方法，在水平热壁石英管反应器中完成的。 ．348- 2嘲年8月，湛 ，卜卜宣J■●?■化●q●■{叶‘材’*、—冉t—_和生t●—卜●爿q■啦 量摹’九l●?一■—“l曩●木●r薯 Si．面衬底的清洗处理程序可参考文献 Al掺杂P型，电阻率为3,330cm，面积为lOxlOmm2。4H-SiC 和Ag．Pd净化的H2，我们生长了两个样品，生长参数如表1所示。外延层厚度约为9-10im。 表1．4H—SiC同质外延生长参数。气体流量单位：SCCm。 3．结果和讨论 Si一面，施主N掺杂的效率很大程度上依赖于反应气体的C／Si比Ⅲ。C／Si比 一。对于4H．sic(oooo 流子浓度。反应室里的残余气体和SiC涂覆的石墨 托材料在高温下的出气，是外延膜中N杂质的主要 来源。 两个碳化硅外延膜的单晶特性通过XRD来表 征，如图1所示。样品S1和s2都只出现一个谱峰， 20(degree) 分别位于2a=35．680和35．45。处，表明样品是SiC单 图1．4H-SiC(0001)Si．面上外延膜的x射线 衍射图。(a)为样品s1；∞为样品s2。 晶。该峰对应的蹦(hexagonal)SiC的(000x)晶 附近，所以需要通过其它方法来确认外延膜是否含有其它SiC多型俸的混晶。 ．3‘9- 2∞4牛8月，^ —卜卜置J●?■啊H哺■qy阵精_、—喇t-件和竞—‘l—哮束●-戗 l第’0JI奢■■体—攥