2-巯基苯并(口恶)唑(MBO)在铜表面缓蚀膜探究.pdfVIP

424 2一巯基苯并嚼唑(MBO)在铜表面缓蚀膜研究 严)1|伟何毓番林海朝t蔗南 (中因科学麂空禹庸蚀与防护研究所．垒属腐蚀与防扩田容量．羔实验室，洗阳110015) 鄣摹平 (东北师范大学化学系，长彝130024) 和不舍氯化钠的2一琉基苯并曝唑(MBO)溶液中处理的铜样品表面所形成的袋蚀膜．研究结果表 明．IdBO是成威蛰缓蚀荆，它在铜发生腐蚀的条件下，通过化学反应在懈表面形成不溶且致密的 膜，从而起到缓蚀作用．其中的S和N原子在缓蚀膜构成中起重要作用。 关■■MBO缓蚀铜庸蚀 1 引 言 人们已对铜缓蚀剂作过不少的研究””]，但有关缓蚀机制仍有需进一步探索的方面，诸 如缓蚀膜的构成及其作用等‘7“”“]。2-巯基苯并嗯唑(MBO)对铜的腐蚀具有非常显著的缓 蚀作用，但对其缓蚀作用机制的研究却鲜见报道啪。 本工作对MBO在不同条件下在铜表面所形成的缓蚀膜进行研究分析，旨在探索其组成 结构和形成机制，进而推进对铜缓蚀荆缓蚀作用机理的认识。 2 实 验 MBO是Aldrieh公司产品；所用其他试剂均为国产分析纯试剂。溶液用三次蒸馏水配制。 溶液反应，经蒸馏水洗涤后于空气中干燥制得。饱和KCl的作用是确保CuCl溶液中Cu 砂纸逐级打磨，最后将工作面用1．urn金刚砂粉抛光，再分别经丙酮、乙醇超声清洗，干燥后 进行MBo。 公司VeeMax反射附件进行。AES测试用LAS MK 试用VGESCALAB ererTMX2000扫描探针显微镜，在开路电位下进行。 3结果与讨论 3．1 AES和XPS 图1是在3％NaCl+lmmol／LMBo中处理20h的铜样品表面的AES深度图。很明显， N、S和C的含量随刻蚀撵度莲渐下降，在十几个nm的深度降至接近于零。因此，在该处理 ：。{j 气：一g 条粹下形成的MBO缓蚀膜的平均厚度仅有十几个nm。但值得注意的是，在该铜样品的表面 层中。的古量极低，甚至远低于MBO中理论含量。这表明，MBO是通过化学反应形成缓蚀 膜的，并且在形成时O从相应的结构单元中释放出去。另外，MBO缓蚀膜形成的过程很可能 是消耗铜表面固有氧化膜(Cu。O)的过程，缓蚀膜直接构建在金属铜表面上，即：金属铜／缓 蚀膜的结构，并非金属铜／腐蚀产物层／缓蚀膜的结构…m]。 ■ ≈ 掌 魁 蛏 一10L——扩—————南————叫矿一～百r————荀 刻蚀深度，nm 圈1 3“NaCI+lmmol／LMBO中处理20小时铜样品表面的AES深度图 一一sf●卜_c，▲～N}丫一o；◆--Cu 显著，而其他的没有明显变化。这表明在形成MBO缓蚀膜时，N和S这两种元素的原子起到 较为重要的作用。 衰l MBO，MBO—Cu(I)(I)和MBO竣蚀曩的结台蕾。 曩蚀虞 Cu2pa／2 N18 Ols S2p ～ MB0 4003 533．3 162．2 MBOCu(I) 932．3 399．0 533．5 162．6 MBOCu(I