单晶硅氧化动力学与其显微结构研究.pdfVIP

单晶硅氧化动力学及其显微结构研究 李文超1，李钒z，丁保华· (1·北京科技大学，北京100083z 2．中国科学院过程工程研究所，北京100080) 擅蔓：本文研究了单晶硅氧化动力学，证实其控速环节可分为三段，即：前期为界面化学反应控速；中期为界面化学反应与扩散混合控遮；后期为 扩鼓控速。显微结构分析衰明：经表面活化处理的簟矗硅，其氯化膜螬构致密；氯化初期，其形貌呈雪花状，并可见形校中心，界面区内发现大量 层错t随后减少，出现位错。氧化膜锻观培构分析和分形堆敦分析结果，进一步证实了单品硅的氯化动力学三段控遮机理 关健词：单晶硅；氧化动力学；显擞结构：分形 半导体工业中利用单晶硅的氧化，在其表面 国Setaram 生成Si02掩蔽膜(对杂质B、P等向硅中的扩散 有掩蔽作用)、钝化膜(提高器件的可靠性和稳定 性)、绝缘膜(使引线和器件间彼此绝缘)等等。 2．2膜鲭构分析 为此，研究单晶硅氧化规律是有意义的。 B．E．Deal和A．S．Glove等研究者认为单晶硅 1