锑单晶纳米丝有序阵列的制备与物性研究.pdfVIP

锑单晶纳米丝有序阵列的制备和物性研究· 张勇·李广海张立德 (中国科学院固体物理研究所舍肥230031) ___ 4●●‘●‘… ‘lI 。lI--』_l_。III_‘‘●●“’ _Ir●-_l●-Ill●。’HI●●HII●，。●● ●-ll-一”IlI--●lI‘。“-●_1’_l-一___’_____…1j 摘要本文采用脉冲电沉积方法，首次成功地在有序氧化铝多孔模板中制备了 取向高度一致的锑单晶纳米丝有序阵列。通过FEM、TEM、HRTEM、XRD等测 试手段对锑纳米丝的形貌和结构进行了表征，对锑纳米丝的输运性能进行了测试。 高分辨电镜观察和x射线衍射分析显示纳米丝沿着垂直于(1120)晶面的方向上 择优生长。零场电阻温度分析表明，纳米丝表现为典型的金属特性。但是和同直 径的非晶(多晶)锑纳米丝相比，比电阻温度系数明显增大。30rim的锑单晶纳米 丝，比电阻温度系数己接近于1。 关键词 锑单晶纳米丝阵列氧化铝脉冲电沉积 III_，。HII_‘●II●“-}●●。-4{●‘。l●，。_l●r_I__●●7__--4III|_“--“-|∥Illl_。●lll。，”lll。●4-II●‘。●l 1引言 近些年来的研究表明，当材料在两个维度上尺寸达到纳米量级从而形成纳米丝后，材料 会产生与常规体材迥然不同的特性；而纳米丝阵列的制备更是在高密度存储、光电微器件等 方面具有巨大的应用价值Ll“』。因此，高度有序的纳米丝阵列的研究正在成为各国材料学 者所瞩目的焦点。由于三氧化二铝多孔模板具有高度有序的准一维纳米孔结构，这无疑为 有序纳米丝阵列的限域生长提供了一种理想的前提条件，从而在结构上能实现人工剪裁，在 性能上实现宽范围的调制。这显然对光电子和其他的低维结构器件的发展具有重大意义。 J。如果对锑进行 锑是一种典型的半金属，在4．2K时，其价带和导带的交叠宽度为180mV【7 二维限域生长形成纳米丝，则由此而产生的量子尺寸效应会对其能带结构产生影响，导致价 带和导带的交叠程度降低，进而发生从金属特性向半导体特性的转变。一些锑的化合物如 BiJ—Sb、CoSb3等都是用途非常广泛的热电材料，因此锑纳米丝的研究对于热电材料和光 电材料的发展都具有非常重要的意义。最近，麻省理工的Dresselhaus小组利用气相法制备 了非晶(多晶)锑纳米丝旧J，但是目前还没有关于单晶锑纳米丝的报道。 本研究采用脉冲电沉积方法，首次成功地在有序氧化铝多孔模板中制备了取向高度一 致的锑单晶纳米丝有序阵列，纳米丝的直径分别为30nm和40nm，并且对其结构和电学性 ●“973”项目(批准号资助。 ●张勇：男，1972年9月生，博士；现从事准一维纳米材料研究；通信地址：中国科学院固体物理所四室，邮编 230031；电话：0551—5591437；传真：0551 5591434；电子信箱y,．han窖@maai蠲p虻∞ A纳米材料 能进行了研究。 2实验过程 将睁度为0 溶液中进行阳极氧化，制备出有序孔洞氧化铝模板。将所得的氧化铝模板经去铝、开孔以及 清洗于噪处理，并在氧化铝模板的一个端面上蒸镀上一层200ran厚的金膜作为工作电极。 脉冲电沉积是在两电极沉积装置中进行的，沉积液的成分和工作参数如下：0．02MSbCI，， 0．1MC6H807‘1-120和0．05M 为一0 所使用的测试仪器为JEOLJSM一6700F 场发射电镜；JEOL200CX透射电镜；JEL 2010高分辨电镜；旋转阳极x射线衍射仪(D／ MAX—rA)和四探针温度电阻测试仪。 3结果与讨论 图1为场发射扫描电镜