化学源金属诱导多晶硅的研究.pdfVIP

化学源金属诱导多晶硅研究 赵淑云，吴春亚，李娟，刘建平，盂志国，熊绍珍 南开大学光电予所 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学，天津大学) 天津300071，中固 摘要： 本文报道r用化学源的硅基薄膜金属诱导品化的试验结果。对于用不同方法沉积得到的非晶硅膜，都能予以晶化。当用 不同浓度化学源的金属诱导，晶化效果也存在一定差别。退火气氛亦会对晶化结果产生某些影响。最后对物理源与化学源作 诱导金属的品化结果进行，比较，结果表明，对诱导金属源而言，化学源显示出更为有效的晶化趋势。这些初探给我们的启 示足，划金属诱导品化多品硅的研究远未止境。 Abstract： filmswas Themetalinduced withchemicalsourceondifferentsiliconbased studiedinthis crystallization paper．Allamorphous and silicon methodshave orfurther silicon different been micro—crystallizeddepositedby crystallizedcrystallized．Thecrystallization wasalsoaffectedtheconcentrationofthechemicalsolutionandthe tothe by atmosphereCompared inducing annealing physical chemical source indifferent structureThese researchesindicatethat source，the inducingresulted micro—crystallizationpreliminary thereisnoendonmetalinduced crystallization 1．引言 ℃，不能用于普通的玻璃衬底，而且其缺陷密度高，晶化时 信息技术的发展要求显示器的分辨率和响应速度越来 间也长达几十个小时口l，从而极大地阻碍了器件的实用性与 induced 越高，而传统的非晶硅薄膜的迁移率低，I面且稳定性比较差。 产业化。金属诱导晶化(MIC：metacrystallization) TFr)具有高的迁移率 技术可在低温工艺下制备出高性能的多晶硅TFr。与其他低 与之相比多晶硅薄膜晶体管(Poly．Si 和随之带来的高占空比，越来越受到人们的青睐。一般可以 温多晶硅技术相比有明显的优势，主要在于它的低成本，并目 thermal MIC多晶硅的质量也明显优于SPC多晶硅…。 通过快速退火(RTA：rapidannealing)、准分子激光晶 laser 因此，近年来由非晶硅经金属诱导晶化获得多晶硅的方 crystanization)}1]相晶化(SPC：solid 化(ELC：excimer