基于有机电致发光显示的透明导电膜ITO的研究.pdfVIP

基于有机电致发光显示的透明导电膜110研究 占红明，饶海波，张化福 (电子科技大学光电信息学院显示科学与技术重点实验室，成都610054， E-maihseaboaLzhan@163．eom) 1引 言 铟锡氧化物膜ITO(目pIn203：Sn)是一种重要的N型半导 其是在制作大面积的OLED显示中，这一点更为明显口J。 体光电子信息材料，具有优良的导电性，较高的可见光透过 如果是彩色OLED显示，还可能产生色差和黑膜等现象。 率及红外反射率，同时对衬底具有很好的附着性和稳定性， 2．3方阻影响因素 且容易刻蚀形成透明电极图形，是理想的透明导电薄膜。自 (1)膜厚 1968年美国无线电公司的Vossen等人研制成功了第一块1TO 由一t-．述方阻定义知，方阻与膜厚成反比。方阻过大可 透明导电膜以来，随着研究的不断深入，1TO膜已广泛应用 能是由于膜层厚度太小。 于LCD、PDP、FED等平板显示器件的透明电极ll】。目前，(2)氧分压 已有一些报道12．33制作出的ITO，其电阻率达4．23×104Q哪，氧分压过高也可能造成方阻的偏大。这是因为ITO膜 可见光透过率大于80％，表面粗糙度小于5rim，功函数达的导电载流子很大部分来源于氧空位及其导致的离化杂质 48eV。但实际工艺中，这些参数往往不能同时得到满足。传 散射中心帕】，溅射中氧分压的偏高使氧空位减少，降低了 统的ITO性能已不能满足新型平板显示一有机电致发光器件 导带中的载流子浓度，从而影响fro的导电性能。 (OLED)的要求。而且未见系统报道ITO作为OLED阳极时，(3)衬底温度 诸参数对OLED性能的影响。本文以溅射制备ITO工艺为例， 衬底温度也是影响1TO方阻的一个重要因素，尤其是 对OLED阳极ITO的几个重要参数，如方阻、可见光透过率、 在采用铟锡合金靶作为靶材的溅射工艺中。因为ITO是一 表面平整度及功函数，以及这些参数对OLED器件整体性能 种非化学计量化合物，制各工艺参数直接决定1TO的化学 的影响进行了论述，并提出了一些改进措施。 组分，村底温度的高低则是化学反应及ITO在衬底上成膜 2方块电阻及膜厚均匀性 质量的～个重要因素。一般而言，衬底温度较低，合金原 21方阻定义 子与氧反应不充分，形成暗色低价氧化铟并有少量过剩金 圈1是电流平行经过ITO膜层的情形，其中，d为膜厚，属原子，且氧空位较多，ITO的电阻率小，而透过率较低。 I为电流，L1为在电流方向上的膜层长度，L：为在垂直于电 另一方面，衬底温度过低，溅射原子在基片t扩散、迁移 流方向上的膜层长度。 能力差，影响了薄膜的结晶性能，降低了载流子迁移率， 导致1TO电阻率变大。故村底温度对ITO电阻的影响是双 重的。 3可见光透过率 由于在OLED显示中，出光面一般位于阳极ITO面， 故OLED器件要求ITO要有高的可见光透过率，以减少光 出射时的损耗，提高OLED器件的外量子效率。影响ITO 图1方块电阻示意图