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微型动态压力传感器研究
王志英关玲
国防科工委第一计量测试研究中心(北京1066信箱,100095)
抽要:微,W动态压力传感器主要麻川在航空发动机、导弹冲di波、火箭发动机等动态J孓力流场分布的测
螭及b机模弛的压力分布等对传感器尺寸有严格限制的测试场合。国外微型压力传感器(直释山25mm以
F)技术的研究历史很长,其技术水准也很高,已形成了一系列的定剐产品,且主要供给国防部rJ使川。
我国由丁在微型压力传感器研究方面起步较晚,尚未形成定型的产品,目前,国内使州的微删动态压力传
感器基本上是依赖于进口产品。我所通过儿年的研究,成功地研制出直径02.2ram系剁龉科的动态雁力传
感器,不仅提高了我国微型动态压力传感器的技术水平,且部分解决了国内国防动态压力测试技术对微刑
功态瓜力传感器的需求。
我所研制的微型动态压力传感器的主要技术指标如r:
量 程:100kPa,200kPa,500kPa,800kPa:
3%F.S.:
重复性:±0.1%F.S.~±0
迟 滞:-1-0.1%F.S.~±0.3%F.S.;
3%F.S:
非线性:±0.1%F.S.~±0
l州有频率:优于lOOkHz:
J作温度:(一20~+85)℃;
零位温度漂移:优于±0.5%F.S.或O.05%F.S.℃
满量程输出:≥4mV/VDC:
DC或5v叱;
电源电压:log
外形尺寸:晟大直径≤中2.2mm。
、微掣动态压力传感器的1.作原理:
微型动态压力传感器的核心部件为半导体芯片,该芯片材料为单晶硅,经过抛光、氧化、扩散、镀铝
等多道半导体工艺制成正面带补偿电阻的惠斯登电桥电路,反面带lm×lmm方杯的硅杯芯片。其J一作原
理是利用半导体压阻效应原理,即在半导体材料上沿着某一晶向施加一定的应力时.其电阻率发生变化,
这种变化量与所加应力的大小成正比关系,这个关系称之为压阻效应。由于硅杯上制造了四个大小相笱、
受力方向两两不同的电阻并联成惠斯登电桥.当硅杯膜片不受外界压力时,扩散电阻阻值不发生变化,电
桥输出为零,当硅杯上膜片受到外界压力时,电桥上电阻发生变化引起输出电压变化。通过对此输出电压
的删苗可洲出被测压力值。详细的原理分析可参照参考文献l。
一.微型动态乐力传感器的设计思路:
微型压力传感器的外壳设计与一般的压力传感器有所不同,主要是受外形尺寸的限制。在设计要求外
形尺寸限定为中2.2mm的情况下.外壳的内径愈大,则安装传感器芯体的容积就愈』(,但传感器外壳肇厚
受两个条什限制.首先是机械加工的限制,其次是壳体本身强度问题。据一般材料力学的计算方法,综台
现^:的机械加l:能力,我们在设计上选择传感器外壳的壁厚为0.1mm。
一般压力传感器的底座的大小由于不受尺寸的限制,其尺寸远远人于芯片,主要的目的是为了在底庠
J线的焊入点。由于探针式传感器
的上表面沉积薄薄的镀金层以作为传感器芯片上的内引线的焊出点及9t-j3
受其尺寸(外行中2.2mm)的限制,其底座的直径仅限制在直径oL7mm左右,在这麽小的面积上要设计出
芯片(12mm×1.2mm)的粘接位置,再设计上镀金焊点,是无法实现的。因此微型压力传感器的整体结构设
计与一般乐力传感器有所不同。在此,我们将底座设计为直径中1.7mm,长2.32ram的圆柱,其截面形状为
开有^个凹横的齿轮状,中心有通孔直径为中0.55mm。这样的设计思路是为了最_人限应地减少传感器内部
儿什所l’t的体秘。
微型压力传感器芯片采用的是普通方杯结构形式(由于芯片尺寸只有l2mrn×1.2mm,盘目前我国的、r
15L
导体集成电路工艺线上无法制造中心带岛的方杯结构),该苍片的结构设计计算,敏感电阻的分布,硅片
晶向的选择等与一般的硅压阻式压力传感器完全相同,在此不再重复叙述。
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