无弱界面水基流延SiC层状复合材料的界面的研究.pdfVIP

无弱界面水基流延SiC层状复合 材料的界面研究 黄荣。顾辉张景贤江东亮 (中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构 国家重点实验室上海200050) _●-’●__● 摘要 用透射电子显微镜(TEM)对水基流延方法制备的碳化硅(SiC)层状复合 材料的界面进行研究。发现在三叉晶界处和某些SiC晶界上存在YAlO’第二相， 大部分SiC晶界有非晶膜，且非晶膜富Al而无Y。用能谱对晶界偏析进行定量研 究，表明AI在晶界处的偏析量为5．7±2。正是由于～在晶界处的偏析导致 YAIO，第二相的形成。最后对该材料的增韧机理进行7讨论。 关键词． 碳化硅 复合材糙第二枧晶氍偏析o ’_I●。__-’。_l_- 。l●。。lll_’■Il_’■I_r4HII●‘-{{●“■“I¨_H—l_-。。1lI，。■II__‘M‘_+。_l●●。。ll●h。Ill__。_I_P“”I{_～●●●。。● l引言 碳化硅(SiC)陶瓷具有高温、高强、耐磨、耐腐