InSb的氧化膜的研究.pdfVIP

InSb的氧化膜研究 董硕 雷静 (华北光电技术研究所 北京 100015) 摘要：在诸多影响红外探测器性能稳定性的因素中，InSb表面的自然氧化是其中的一种，本 了初步的分析． 关键词：InSb：氧化膜；探测器 l前言 对于InSb光伏型探测器而言，其伏安特性的好坏直接反映出该探测器性能的优劣。从工艺的角 度来说，影响探测器伏安特性的因素很多，如扩散、钝化、芯片清洗等等，在这些因素中，大部分 的因素可以通过严格、改善工艺条件来减轻或消除其不利影响，但是在钝化前，芯片有一短暂的时 间暴露在空气中。在这段时间里，InSb表面很有可能发生一定程度的自然氧化，这一层自然氧化层 的结构与阳极氧化层有某些类似，而阳极氧化层对探测器的稳定性的影响在R．K．Mueller的文章中有 所叙述【．1。本文采用下面的研究手段对lnSb表面的氧化物含量、价态进行了初步的研究。 2实验方法 实验材料采用扩散过Cd的样品。研究InSb表面自然氧化状态下各元素氧化价态及可能的成分； _}}j XPS的离子溅射掉表面自然氧化物后，研究InSb表面的氧化状态。 为模拟工艺情况，研究清洗后lnSb表面接触空气时间与lnSb表面氧化物含量的关系。先将lnSb 表面用40％HF溶液腐蚀1分钟后，再用去离子水冲洗．用吹球吹干。在空气中放置不同时间后，用 Auger谱仪研究InSb表面氧化物的氧含量的变化。 PHI一5300ESCA XPS(X—rayoptoelectron 物的成分和价态．用C的1s线校正仪器位移．用XPSpeak4．1软件进行峰背底的剥离和峰的拟合，在 析InSb表面氧化物含量与接触空气时间的关系。． 3实验结果及分析讨论 3．1InSb表面氧化物的成分、组成和厚度 实验研究了InSb表面自然氧化态和12nm深处氧化态的变化。由于涉及到lnSb表面氧化的元素 405．3eV，表明表面和12nm深处的Cd没有与氧形成纯CdO，而是处于tl然氧化态。 sb的谱线分析比较复杂，需要进行分峰拟合．这是由于Sb的结合能与。的结合能比较接近， XPS谱仪无法将二者分离所致。表面sb和。的结合能见图3，可见图中有明显的Sb的3d3／2峰外， 两种氧化物，Cd没有形成氧化物。Cd没能形成纯化物的原固可能是Cd是掺杂元素，舍鼙较少不足 以形成氧化物。 天八。删驰 一姜，8v型雕 欠扒=d二 ^善k，63侧囊 万八¨一 犬入二二二二 456454452450448446444442440438 410 405 400 结台舱(ev) 结台能(ev】 图1InSb表面和12rim深处In的结合能图2InSb表面和12nm深处Cd的结合能 0 芒 8 一 划 囊 结合拢fev) 图3InSb表面。和sb的结合能 0 芑 8 V 越 唱 结合能(ev) 图4IⅡsb表面12am深处。和sb的结合能 图4所示的12nm深度处Sb和0的结合能与图3所示表面Sb和0的结合能相比较，匠显著的 Insb表面和12nm处各元素的含量见表1．o元素在表面和内部含量都很高其中，值得注意的是 12nm深处的。含量竟然比表面的0含量高，值得进一步研究。In和sb元素的含量从表面到内部有 了较大的提高．但是，无论表面还是12nm深的内部，Sb含量都远小于其应该与ln一样的化学当量 值。这个结果与我们先前的结果很类似，InSb表面扩散后Sb的