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Si GepMOS量子阱沟道中载流子面密度研究
胡辉勇张鹤鸣戴显荚舒斌姜涛吕懿王喜媛
(西安电子科技大学微电子研究所陕西西安710071)
摘要；本文建立了SiGc
pMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的准静态物理模型，讨论了器件结构中占．掺杂层的杂
质浓度与本征层厚度与空穴面密度的关系，以及栅压与空穴面密度的关系。最后，讨论了在准静态情况下沟道中空
穴面密度对沟道跨导的影响。
引言
由于表面散射的影响，表面沟道MOS器件的载流子迁移率远低于体迁移率，这对于电流驱动能
力的提高显然是十分不利的。而且空穴迁移率本身就远小于电子，所以这个问题在pMOSFET中就显
连续性产生的量子阱中的二维载流子气，有效地提高了器件的沟道载流子迁移率，从而获得了高的
电流驱动能力和跨导。
异质结界面势阱中的总的面空穴密度只是一个重要的物理量。在MOS器件的Si—SiOz界面上，
沟道势阱中的载流子面密度完全由栅极来调节。在异质结界面势阱中，只主要有宽禁带材料(Si)
的掺杂浓度m(即6一掺杂层)来决定，同时栅极电压对沟道载流子面密度也有很大地调节作用。
本文给出了静态平衡时和加栅压后的准静态的只物理模型。并且讨论了影响沟道势阱中载流子面密
pMOSFET器件电特性的影响。
度的主要因素，以及沟道势阱中载流子面密度对SiGe
图(1)SiGc
pMOS量子阱器件剖面结构示意图
图(I)为一个典型的SiGe
一掺杂层电离杂质对沟道中载流子的散射，以提高沟道中的载流子迁移率。
丘 、
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一w—d．n
图(2)量子阱沟道附近的能带结构示意圈
西安电予科技大学青年科研工作站基金资助(题目号：03011#)
图(2)是未加栅电压时，沟道附近静态平衡时的能带结构示意图。图中‰为势垒高度。势阱
中的电场应遵循泊松方程：
_dEAx)。土pG) (1)
aX
SiGe
本底掺杂浓度很小可以忽略。在势阱中对式(1)积分。利用边界条件：
(2)
x=0
EG)=El
得戮 。s?G。E1≈一qPs (3)
其中，厶为异质结界面处势阱一侧的电场强度，静态平衡时只为沟道中空穴面密度。
层之间的本征的si层之后，泊松方程为：
。
一d，X0，
坐舻 = (4)
盟％ 一矿x一d
^‘是J一掺杂层的掺杂浓度，在一西☆印之间，可认为本征层内部的电场为常数，等于异质结界
面处Si一侧的电场岛，在一矿＆f一西之间有：
BG)=面dV—q毛Ⅳ一出…一丢”+c (5)
利用边界条件
x=一di啦E3(x)=瓯
J=一∥时局(x)--o (6)
得到
E3G)=一—生Ⅳ。G+∥)
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