安匝断续反激变换器设计.docVIP

安匝断续模式下反激变换器设计 设计参数 输入电压：Ui=（28±4）V； 输出电压：Uo=5V； 满载电流：Io=10A； 短路电流：Is=12A； 开关频率：f=100Hz； 24V临界占空比D=0.5 最大损耗（绝对）：2.0W； 最大温升：ΔT=40℃，自然冷却； 二极管压降Ud=0.6V。 工作磁通密度Bmax=0.3T 单端反激变换器主电路图 设计步骤 确定匝比： 由二次侧输出电压=5+0.6=5.6V，输入最低电压Ui=12V以及设定占空比0.5临界连续，决定匝比： 匝比n选4：1，输出峰值电流减小，减少输出电容负担，初级开关峰值电压减小。 临界占空比实际值： 次级电流及电感计算： 次级峰值电流计算： 考虑到磁路安匝临界连续，由平均电流求临界连续时次级峰值电流： （2）额定负载时电流峰值为： （3）次级电流有效值为： （4）电流最大变化值为： （5）需要的电感为： 由于铁氧体材料在高频下具有很高电阻，因而涡流损耗低，同时具有价格低的优势，是高频变压器磁芯首选材料，本设计使用铁氧体P类。 工作磁通密度和最大摆幅： 如图1，在磁芯损耗曲线中，一般取损耗限制为100mW/cm3,纹波频率为100KHz，由此决定了最大峰值磁通密度为1100×10-4T。得到峰值磁通密度乘以2，获得峰值磁通密度摆幅为2200×10-4T，即0.22T。因为在断续模式中，Bmax=ΔBmax，因而Bmax也被限制在0.22T，接近饱和。因此，在Bmax=0.22T时，相应ΔI=I2P=46.4A。 图1不同频率下比损耗与峰值磁感应强度的关系 5.选择磁芯形状和尺寸： 采用损耗限制面积公式得： 采用EI25磁芯，AP=0.366cm4（带骨架）。由图2查得所选磁芯参数：有效磁芯截面积Ae=0.44cm2；有效体积Ve=1.93cm3；平均磁路长度 le=4.86cm；中柱尺寸C=0.675cm,D=0.65cm;窗口面积AW=0.835cm2。 图2 EI磁芯结构参数 热阻及损耗计算： 由窗口面积获得热阻为： 根据最大温升ΔT,计算允许损耗： Plim=ΔT/RT=40/43.5=0.92W 计算次级线圈电感量的匝数： 计算气隙长度： 计算100kHz时的穿透深度： 计算导线尺寸： 由于输出电流为10A，即 次级电流有效值为： 次级电流交流分量为： 选择电流密度为400A/cm3,次级导体截面积16A/400=4mm2。依据图3，可选择2层宽为10mm，厚度为0.2mm的铜箔绕制。 初级峰值电流为： 初级电流平均值为： 初级电流有效值为： 初级电流交流分量为： 电流密度为400A/cm3,需要导线截面积为3.89/400=0.973mm3，可选用宽度为10mm，厚度为0.1mm的铜箔卷绕。 图3 导线规格表 损耗与温升的校核： 磁芯损耗计算： 次级线圈损耗计算： EI25磁芯窗口宽度为13.25mm。考虑骨架，线圈可选10mm。导线截面积除以线圈宽度10mm，得到导体厚度为0.4mm（2层厚度为0.2mm的铜箔）。一共5层，包含匝间0.005cm绝缘和0.005cm绝缘，结果线圈高度为1.5mm。平均匝长为3cm，总的线圈长为9cm。线圈电阻为9cm。线圈电阻为： 直流损耗为： 查图得，Q=0.8，3层的Rac/Rdc近似为1.5，则Rac=0.78mΩ。 交流损耗为： 初级线圈损耗计算： 初级线圈共12匝即12层，平均匝长为4cm，总的长度为48cm。线圈电阻为 直流损耗为： 查图4得，Q=0.4，12层的Rac/Rdc近似为1.5，则16.5mΩ。 交流损耗为： 线圈总损耗为： 总损耗为： 损耗与温升校核满足要求。 图4 交流与直流电阻比和等效铜厚度、层数关系 二极管选型 二极管承受最大正向电流：Imax=38.7A，考虑安全裕量，IF选择60A 二极管承受最大方向压降：Uf=Uo+Ui*N2/N1=5+32/4=13V。考虑安全裕量：UF选择40V左右，故选择MBR6020系列。 开关管选型 （1）开关管承受最大压降： UTmax=Ui+(Uo+0.6)*N1/N2=32+(5+0.6)*4=54.4V 考虑安全裕量：UTF选择150V 开关管最大正向电流：ITmax=N2/N1*Imax = 38.7/4≈10A 考虑安全裕量：ITF选择20A，故选择MOS管IRF9630。 Matlab程序： clear;clc; Ui=24;%输入电压 Uo=5;%输出电压 Io=10;%