XPS技术在IGZO非晶薄膜组份的研究中的应用.pdfVIP

第十二届全国青年分析测试学术报告会 2012年7月28-30日成都 XPS技术在IGZO非晶薄膜组份研究中的应用 龚力1，张耿2，谢方艳1，程蕾1，张卫红1，陈建1。 1中山大学测试中心 2东莞理工大学 E-mail：puscj@mail．sysu．edu．cn 摘要：采用XPS技术分析了不同气体制备的IGZO薄膜在退火前后的各元素组分的变化情况， 发现IGZO薄膜中氧元素的不同化学状态含量与溅射气体以及退火工艺密切相关。利用XPS对每组 IGZO样品的价带谱进行采集和分析，观察到氧含量对IGZO薄膜价带顶的位置有直接的影响，这对 IGZO-TFT的电学性能以及工作稳定性具有重要影响。 关键词：IGZO，TFT，XPS，SpulIednggas 一、技术背景 半导体材料，具有霍尔迁移率高、非晶稳定性好、可见光透过率高等特点，被广泛应用在薄膜晶体管 (ThinFilm 膜化学组成的可控制备和可重复性，是将a-IGZO进一步应用到TFT器件中的关键技术[21。 Photoelectron 本文利用X射线光电子能谱技术(X-ray 气体下溅射制作的IGZO薄膜进行了元素半定量分析、O元素的化学状态分析以及价电子结构的分析。 同时对比了三组样品中退火工艺前后O元素的化学状态变化及其相对比例的变化。 二、实验 DC，ENI 实验采用脉冲直流(Pulsed RPG．50)方式溅射制作IGZO膜，溅射气体分别采用三种单组 Escalab 250 X．射线光电子能谱仪上进行，使用的光源为单色化Al靶X射线源(能量1486．6eV)，束斑直径为 500 um，对窄谱使用通能20eV、步径0．05的条件进行高分辨扫描，测试真空度维持在2x10-7Pa。 三、分析与讨论 我们分别对不同溅射气氛下获得的IGZO薄膜在退火前后的样品进行了XPS分析。首先对采集到 Ols的高分辨谱图进行数值拟合。采用Shirley模式扣除背底后，以高斯峰型占80％，洛仑兹峰型占20％ 的比例进行数据拟合。退火前后IGZO薄膜的价带谱通过线性外推法确定了价带项的位置。结果如图 1、2、3所示。 从拟合的情况可以看到，Ols轨道均可以拟合为3个峰，即530±0．3eV,531±0．2eV,532±0．2eV，分 24 第十二届全国青年分析测试学术报告会 2012年7月28-30日成都 别对应于O的三个不同化学状态：晶格氧、缺陷位置造成的吸附氧伊、污染氧。通过半定量计算可 得到各组样品晶格氧和吸附氧02．的比例，如表1。 在退火前，从晶格氧与缺陷氧的比例上看，在Ar气氛下制备的样品，氧缺陷含量最高，O气氛下 制备的样品，缺陷氧含量最低。由于IGZO中的载流子来源于氧缺陷，因此推测Ar气氛下制备的IGZO 载流子浓度最高，O气氛下制备的样品载流子最大。 ‘囊1r ‘^^r ul,lr !udr =Ⅷr 客‘嘲， Ⅷf I■nr 2_r _瞄瞄m嘲__-_ B啪呐EnmllyI坩) Bhd岫EMqlyI．v1 戳h如●h·rl—v) 图1：Ar气氛下退火前后的IGZO薄膜Ols能级谱和价带谱 图2：N气氛下退火前后的lGzO薄膜Ols能级谱和价带谱 _nmmmmm_mH％mmm