低阻SnO-%2c2-薄膜的制备与其性质研究.pdfVIP

低阻SnO：薄膜的制备及其性质研究‘ 李爱武‘，陈丽华1，白旭东2，昊连海3，王修中’，贾秀利·，全宝富- (I．吉林大学电子工程系；2．物理系．吉林长春130023； 3．吉林华基电子集团公司，吉林吉林132011；4．吉林粮食高等专科学校．吉林长春130023) 摘蔓：采用Sol—Gel法制备了Sn02薄腱．研究 了掺杂含量、气氛地理、烧结时闻．CI-等实验务件 3实验结果与讨论 时snq薄腱电阻的影响，分析了影响的机理，并利 用选种低阻sno，薄虞州作成熟践型气戢元件，发现 3．1实验条件对薄膜电阻的髟响 3．I．1掺sb量对Sn02薄膜电阻的影响 它对H,S气体具有较好的*Lit特性，表现出良好的 逸摔·I生，暇时具有较好的响应-恢复特性． 已知Sn02是n型半导体．在其中捧入SbCl,．Sb” 关t词：Sol--Gel法T 在加热时会变成sh，+．由于五价的sb，+代替四价的 Sn02尊蕨；气敏特性 sn