高速CMOS电路交流特性辐照退化的研究.pdfVIP

高速CMOS电路交流特性辐照退化研究 严荣良余学锋艾尔肯郭旗陆妩任迪远 (中国科学院新疆物理研究所鸟鲁术齐830011) 苏秀娣 辛 10032) (东北微电子研究所沈阳1 摘要 本文研究了国产高速CMOS电路54HCT244八缓冲罂，线驱动器在∞co辐照下，交 流特性退化与总嗣曩、剂量率、辐照谪置和工艺条件的关系．研究表明，在低剂量率 oOTGy(Siys辐照下，延迟时间丁札姬化比高捌量宰I．9Gy(si坤辐照下严重，且对加同 电路．这一交流特性退化的剂量率效应更为明显．辐照偏置对延迟时间堪化具有强烈 的影响。4,5V和0V二种偏霞状态将分别导致电路的T}LH和B札产生较旱丽明显的退 化。因此，为了评估此类电路的总荆盈加属性能，需要考虑合适的辐照试验条件和评