高介电常数介质RF+MEMS开关的制作的研究.pdfVIP

第八届全国敏感元件与传感器学术会议论文集 高介电常数介质RFMEMS开关的制作研究 雷啸锋，刘泽文，宣云，李志坚，刘理天 清华大学微电子所．中萤托京100084,联系电话010 e-mail：leixf00@mails．tsinghua．edu．cn [摘要]本文报道了一种电容式MEMS开关的制作工艺。所有的步骤都采用表面微加工工艺 电薄膜作为开关的介电层，使“开…‘关”状态电容比值大大提高，开关的插入损耗和隔离度 性能得到提高。在制作工艺上，我们采用正胶作为牺牲层，并用发烟硝酸进行释放，获得了 较好的效果。最终，我们制备了一种高性能的电容式MEMS开关。 [关键词]射频微机械BST开关 引言 微型开关是MEMS器件的典型结构之一，早在1979年，就研制出了静电驱动的悬臂粱结 构的MEMS开关”1。随着现代通讯系统的发展，射频微器件逐渐成为众人瞩目的研究热点。 与传统开关相比，MEMS开关具有很多优点，如：良好的硅兼容性，低功耗，“关”状态的低 插入损耗和“开”状态的高隔离度，以