纳米硅薄膜场发射压力传感器的研究.pdfVIP

纳米硅薄膜场发射压力传感器研究 廖波 林鸿溢 王越 北京理：f大学电子工程系，100081，北京 ■要，设计研制了一种基于量子隧道效应机制的体硅舵MS微封闭式场发射压力传感器原型器件，并有效 的把低维半导体纳米硅技术引入微电子和硅微机械加j[技术相结合的微机电系统，实现了三者的统一。对 具体器件进行了计算模拟。通过．心SYS程序用有限元方法分析了器件的力学特性。 关彻t纳米硅薄膜场发射压力传感器有限元计算模拟力学特性 当今传感器技术的主要发展趋势是集成化、多功能化和智能化。这几大趋势都离不开以微机电系统 (Microelectro_Mechanjcal Systemst M删S)技术为基础的微型传感器及纳米传感器技术的发展。在各 种传感器的开发应用中，近年随着徽屯子技术、M删s技术和真空电子学的发展，一种基于量子隧道效应机 制的新型真空场发射压力传感器被相继提出而成为开发高灵敏度新机理力敏器件的研究热点D-B]。与压阻 式、电容式等其他类型的传感器相比，它具有灵敏度高、耐高低温、