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迎接挑战的先进光刻技术——《半导体国际》光刻技术研讨会分析.pdfVIP

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  • 2017-08-15 发布于湖北
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迎接挑战的先进光刻技术——《半导体国际》光刻技术研讨会分析.pdf

    维普资讯 中国报道ChinaReport·半导体制造与封装 迎接挑战的先进光刻技术 半导体国际 光刻技术研讨会 、l墨■ 备 程 风 ASML 李庆钢， 65nm技术节点以下光刻解决方案 SIMCl北京) ·国际半导体技术蓝图(ITRS)规划出半 导体技术发展线路．存储器，MPU、 关于高NAArF扫描仪65nmT艺PolyCDU研究 逻辑器件特征尺寸不断缩小 光刻技术面 ·随着cD尺寸紧缩 PolyCD的控制越来越重要．尤其对于逻辑器件 。 临更高要求和挑战， ·多种因素影响PoIycD尺寸

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