用于MePIIID技术的大功率强流脉冲阴极弧金属等离子体源的研究.pdfVIP

用于MePl IID技术的大功率强流脉冲阴极弧 金属等离子体源研究 王浪平正小峰汤塞寅张根伟甘孔银 (哈尔滨工业大学现代焊接技术国家重点实验室) 1 gl言 盘疆等离子体没没离子涟入鸟沉积(Me飘|∞)拄术克服了传统寨线离孑注A犟羹离子京增 强沉积(IBED)技术的怠射性限制，也克服了镀膜技术膜基结台力比较低、膜层容易脱落的 缺点，能够在复杂形状精密零件寝面获得一层具有强膜基结合力、优良表面性能、致密和均 匀的改性朦，蹩材料表面改性领域极有发鹱前景的技术之一#“撇l。 辩薪，夫淀积速率帮长稳定工作嚣季阔游脉冲鬻辍弧金属等离子髂源是决定MePIHD技本 走自￡业应用的关键。脉冲勰极弧金属等离予体源一般采用带蠢一定角度的磁导管的方式来 过滤由阴极电弧处产生的大颗粒宏观羊n中性粒予，但是磁导管出口处彘属等离子体的沉积速率 u 比较低，～般不到l IIl，h，使零件MePlUD处理的时间比较长。从而极大地限制。TMe．1ID 技术静j：谴应掰。辩矫，在躲冲鞠极弧金耩等离子体深巾，…般采用脉冲离篷舷发的方式来引 弧，套堰电弧燃烧射产生鳇大颗粒粒予窖爨使触发极与阴极短路，从嚣使金属等离子体源不能 予体源的沉积速率和工作稳定性。 2设计缀理 蹦2’54是本课题组最毅研割豹脉冲明极弧等离子 体源装置的示意图。它主要由两部分组成：弧放电系统 和磁过滤系统。弧放电系统主要由阴极、阳极、触发极 及其供电系统瓣成，用采产生金耩等离子体；磁过滤系 统}b羯度为45。熬磁孕管帮磁场电源系统组成，它主 裴用来过滤弧放电系统产生的宏观和中性粒子。从阴极 斑点发射的宏观粒子团真径～般小于lmm，为了提高 触发的稳定性，触发极与髓辍之黼问鼹定为2．5mm，这 样，基本《鞋防止辍发极与溺极之阉 静短路。为了减小磁场线鬻豹发热量，袋躅脉冲磁场豹方式提供过滤磁场，出予磁场必感牲 负载，磁场上升和下降时均需要～定的时间(本系统大约为300uS)，所以，磁场达到正常之 后才送触发脉冲信号给弧放电系统。 ·12l· 3参数测试 存不同的磁场强度、主弧电流和磁导管偏压的情况下，从磁导管出口处引出的离子流是不问 的。本文研究了以上曼个参数对离子流的影响。在测景引出离子流时，引出板』二接-40V偏压以排斥 ps。 电子丽吸收离子。脉冲酮极孤源的皴发电压淹3kV，颧率为55Hz，=}弧辣冲键度淹280 j{；离子流的影响。由图可以看出，磁导管偏压对引出离子流有很大影响。合适的磁导管偏压 右。在主弧电流为200A时，最往磁母管偏压簸为8V庭右。这主要楚因为磁导警编篷在磁母 蛰经囱薤嚣形成7…个u形毫拯，离％孑在这个u形宅场雅月F渤中心移动，从面使引趟离子 流增加。主弧电流增加时，由于从阴极与阳极处产生的等离子体数目也增加，所以使磁导管 中离子数日增加，使引出离子流也增加。 融导悖偏Ⅸfv 鬻2．55不黼主援弥；串电流帮撤导管按压对号l窭离子涟麴影响 由瑶霹以看出，隧骜磁场强度的增加，引出亵子漉也不叛增加。这主要是因为照麓磁场强度 的增蛔，磁场jc寸等离子体的约柬能力也不断增加，从而提高了传输的效率，引出离子流值也 将会不断增加宜至达到饱和离予流值。但是，随着磁场强度的增加，磁场线圈的热损耗也将 会不断增加。因此，考虑§Ⅱ热效应的彰晌，本金耩源的磁场强庭秀400Ara。 ： √ 溪 m 避 磁场强度{6) 闺2．拍不同磁场强度对目fHj离子漩的影晌 ·122· 时，我们进行了脉冲阴极弧金属等离子体源的工作稳定性测试，在工作6h后，漏弧率低于20％， 表明我们设计的新型脉冲阴极弧金属