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闪存的一些基本概念及其技术融合趋势 [2006-04-11] 2008-01-25 22:06 ?????? 为了提高竞争力，各大半导体厂商都会尽一切努力进行新技术的研发，开发出高速度、大容量、高可靠性以及低功耗、低成本的产品成为各个厂商的共同目标，NAND与NOR的融合也被业界普遍认为是未来的趋势。 　　受益于消费电子产品的旺盛需求，Flash闪存已取代RAM成为存储器家族中最主要的力量，市场规模高速扩张，三星、英特尔、Spansion等半导体厂商也成为最大的受益者。根据逻辑结构的不同，Flash闪存主要可分为NAND和NOR型两种，前者可提供更大的容量，但不支持代码本地执行，读速度也较慢(但写入速度较快)；而NOR型闪存支持代码本地运行，读速度也稍快(写入速度稍慢)，但主要缺点在于很难实现较高的存储密度。不同的特性让这两者分别属于不同的市场：NAND广泛用于数据存储相关的领域，如移动存储产品、各种类型的闪存卡、音乐播放器等，而NOR型闪存主要用于手机、掌上电脑等需要直接运行代码的场合。两者一向泾渭分明、互不干扰。 　　不过，由于手机市场起步较早(1999年开始全球流行)、整体规模很大，NOR闪存也就长期居于主导地位，出货量占据闪存整体份额的60%以上；NAND闪存虽然应用领域更为广泛，但受累于数码产品的用户群较小，整体规模反而不如NOR闪存。然而，近两年此种格局悄悄发生了逆转