MOSFET铜线键合的研究和探讨.pdfVIP

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  • 2017-08-14 发布于安徽
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MOSFET铜线键合的研究与探讨 赖辉朋 谭楠 深圳市晶导电子有限公司,广东深圳518101 摘要:在半导体、IC行业,键合是一道必不可少的工艺工序,它是将芯片上的焊点(PAD)与引线框架 (LEADFRAME)进行导通连接。当今世界主要采用金丝 (铜线)球焊接和常温超声铝丝焊接两种方法进 行键合。MOSFET的应用电流比较大,如果采用金丝球焊法,故需用比较粗的金线键合,用此方法生产 的MOSFET管的成本非常之高。现在大部分MOSFET的加工采用粗铝丝(4-20mil)键合这种办法。目前 我们在国内外未看到有MOSFET用铜线键合的报道,大规模使用铜线键合MOSFET乃是行业禁区,本论 文提供了MOSFET铜线键合的一种方法,给出了MOSFET铜线键合的工艺参数以及各方面应该注意的事 项。我们在长期应用中已获得成功,填补了MOSFET铜线键合的行业空白。 关键词:键合;铜线;MOSFET Abstract:WirebondingisaessentialprogressinsemiconductororICproduction.ItmakestheDiespadand Le

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