磁控溅射Ge%2fSi多层膜的喇曼谱的研究.pdfVIP

磁控溅射Ge／Si多层膜的喇曼谱研究 毛旭，周祯来，扬宇 (云南大学材料科学与工程系，云南昆明650091) ■叠：采用磁控溅射方法沉积Ge和Si材料在Si(100) 衬底上．用喇曼散射对不同工艺下的姑构和成分进 2实验 行了分析，表明制备Oc和si单晶虞的扰+b村底温 度为400℃左右．分析了SFGe多屡镬中si-Ge健光实验用电阻率为10fi-∞的Si(100)J幸晶片作 学振动模式不出现的原固，主要是溅射材料si和Ge为衬底．先后经过四氯化碳．丙酮．潸糟．备严格 的晶态不同造成的．在喇曼谱中现察到Si-Si键和超声清洗10ndn击豫油和蜡．然后在浓度为5％的氢 Ge-Ge捷，噼声千峰和声埠≯千峰． 氟艘中漂ZS一20s除去氧化层获得平整的衬雇表面 关麓词：Si／Ge多层膜；喇量散射；磁控溅射 后，吹千放入JGP=J00A超高真空多靶磁控獭射仪预 室中，特本底真空优于8X104Pe之后再用传递杆传 l引言 入主室中进行藏射·穗射时充入的蕾气压强选取我 们工作中所获得的理想工作压强2．5hm．灯丝电压 半导体应变层超晶椿抬够宙分子柬蚪延(M日E)m为6V．选择不同衬唐船热沮度．砌，方式和功率在 和金属有机物化学气相淀积(MOCVD)“等技术来sj村底上生长薄膜材料．生长过程为先长黯s的si 获得高质量的晶格匹配材料．但由于这些设备具有 缓冲屡在si}捕：上，燕后交替生长22s的Oe和88s 昂贵和生产成本高等缺点．不利于大规模生产a磁 的sj各10层．形成Si／Ge多层膜· 控碾射方法具有操作简便-易于掌握等特点一以前 样品的分析是在MIKl000喇曼谐仪中进行的． 的研究普遍认为碾射较难获得单晶．Fhg等”墚用 测量时采用背向敌射装置．在塞温下采用斛澈光 器的515．4nm谐线作激发光源(功率为25w)测量，测 溅射制备出同质结外延si单晶材料·对于Si／Ge体 量系统为OCD电荷耦合器件．昔仪分辩串为lcm‘· 系，由于si和Ge材料失配达到4．2％因而用溅射 方法制备Ge／Si多层麒时窖易形成失配位错·要用 溅射方j老获得商质量的Si／Ge超晶格材料．我们从 3结果和讨论 改变衬腐温度和改变谶射功率两方面进行了研究· 喇曼散射作为表征Si／Ge薄膜材料的有效手段· 衬底温度是影响薄膜晶相结构的重要参散，因 此我们分别选取加热沮度为300℃、450‘C、600C、 迄今为止不仅在300-500cgn’范圈内的光学声子进行 了广泛研究…，而且在能量低于200cm“的折叠纵750C，由于金属托盘的影响．村底的相应实际温度 声学声子中也进行了研究【．】。它表征了分子中不同基 比上述加热沮度丈约低200*C．为了准确起见以下讨 团的振动特性．因而可以通过测定喇曼位移来进行 论的捏度均指校正温度·分别在150W的射频功率 结构表征． 下瓣射si材料．75W的直流功率下溅射Oe材料来 本文在已获得较佳制备薄腆材料的氲气压强条 制备Si／Ge多层膜．各样品的喇曼敢射谱如图1· 件下m，制备了在不同村底沮度和穗射功率条件下的 比较圈中喇曼蟑可看出．圈1c中Ge的光学摄动声子 多层薄膜材料．获得si层或Oc层单晶材料，为进模不仅峰形对称，而且峰的位量在300c,m‘处与Gc 一步制备Si／Gre超晶格材料打下了基础·分析喇曼单晶体材料蜂位接近吗．因而该多层骥讨料中的溉射Ge 谱图中si·Gc键光学振动模式不出现的原因，井区层为单晶．而其它村扁温度下的Ge-Ge健形成的类光