固态源后硒化法制备CIS薄膜地研究.pdfVIP

第8卷增刊 金属功能材辩 埘．8‘Ⅳ 2091年3月 Metalli0FtmetionalMaterials March 200l 固态源后硒化法制备CIS薄膜的研究* 孙云1龚晓波1钟兵1刘永吉2郭虎森3刘明光3李长健1 (1南开大学电子研究所天津300071；2朝鲜平壤理科大学3南开大学中心实验室) 捕要采用固态源后硒化法制备CIS薄膜具有设备及工艺方法简单，易于控制硒化反应过程，可 提高制备工艺的重复性等特点。本文介绍了固态源后硒化法的工艺制各及设备结构：对同一元素 配比的基底采用不同硒化条件．以及同一硒化条件，不同元素配比的基底材料所生成的硒化物有 何不同：钼膜衬底和玻璃衬底所生成的硒化物有何不同等等进行了实验研究与分析。结果表明， 元素配比的精确性决定着cIs薄膜材料制备的重复性；硒化过程中衬底温度和硒原子浓度在一定 范围内对CIS生成物的影响并不敏感；In与cu的元素配比在一定程度上的误差都可能导致Culn：。 ％，多晶体的产生：衬底材料对硒化物的结晶状况有着不可忽视的影响， 美t词硒 中用分类号 文献标识码 层的玻璃基底)和不同配比的铜铟薄膜进行 铜钢硒(C／S)薄膜太阳电池以其廉价、高后硒化处理。通过金相显微镜、XRD衍射 效、稳定等特点而成为国际光伏界研究热点， 谱、SEM等仪器的观察，分析薄膜材料的晶相 目前高教率CIS太阳电池的制备工艺一般都 成分及表观形貌，研究Cu／In配比与衬底温 采用多元共蒸发法，但是作为光伏层的CIS 度和Se蒸发温度对化台物成分组合的影响， 薄膜材料在制备过程中需控制的因素较多， 制备出具有良好光电特性的CIS薄膜。 因而制备CIS太阳电池的工艺重复性较低， 2后硒化法的工艺流程 高效电池良品率不高，制约着产业化的过程。 用后硒化法制备CIS薄膜材料的工艺流 根据人们多年研究结果表明，CIS薄膜性质 程如图1所示： 主要依赖于Cu／In原子配比和硒化条件，与 化l 中间的生长过程无关，如果将cu、111分别成l玻璃基l—l磁控J一|制备Cu、Inl—l硒 l盐煎选lI受照丛!I】垒星蔓堕『l羹星蔓堕『 膜，并单独硒化处理，只需要改变Cu／h配比 圈1后硒化法工艺流程圈 和硒化条件，使得工艺简化许多，从而提高工 艺的重复性。国外已有人采用各元素按比例 3固态源后硒化处理Cu+h叠层薄膜工艺 先后成膜，用H2se气体进行后硒化。但这种 利用图2所示的硒化炉来进行后硒化反 气体剧毒，价格昂贵，易燃易爆，对设备的要 应。硒舟中放置固态硒，加热硒舟，使硒蒸 求非常严格，制造成本较高。 发。由于真空室置于管式炉内，使系统充满 本文讨论将固态硒蒸发为饱和蒸汽，分 硒蒸汽。调节阀门用来调节真空系统的抽气 别控制蒸汽压强和蒸发温度，同时调节衬底 速率，进而调节硒蒸汽压强。 温度对不同衬底(含Mo导电层及没有导电 主要工艺步骤： -天津市自然科学基金1999年资助项目189+ 增刊 孙云等：固态源后硒化法制备c玲薄膜的研究 ①放人已制备好的In／Cu配比的叠层薄4硒化处理结果及分析 膜基片，预抽真空度在1．33×100Pa以上，经过硒化处理的薄膜材料用XRD、S