激光直写中离焦写入地研究.pdfVIP

!!!：±兰星 苎±=生全里皇±查：苎±查：垄主查兰查±全 竺兰：皇竺 激光直写中离焦写入的研究 卢振武，李凤友，谢永军，张殿文，裴苏，赵晶丽 (中国科学院长春光机与物理研究所应用光学国家重点实验室，长春130022) 摘要：本文从理论计算和光线追迹法对激光直写光刻工艺中离焦对线条影响进行了分折研 究；使用激光直写设备开展了离焦写入工艺实验，得到写入线条宽度与离焦量的关系实验曲 线；实验和理论计算及光线追迹的结果吻合很好，利用离焦写入方法的在光刻胶写入了光栅 和分划板，测得实验结果达到工艺要求． 关键词：激光直写光刻；离焦写入；离焦量；四轴激光直写系统 1引言 激光直写光刻和电子束光刻(包括电子柬直写)是目前制作光学掩模和衍射光学元件的两种常用 的光刻技术。激光直写光刻同电子束光刻相比，具有制作成本低、写入速度快、操作简单、工作环境 要求低等优点，被视为有前途的光刻技术．许多国家开展了激光直写光刻的研究“‘1“。 通常衍射光学元件的线宽从几百微米到小于一个微米。在没有对写入焦斑尺寸进行任何调制的情 况下，用单一尺寸的光点写入孔径很大且写入面积也很大的光学元件时，