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无光污染硅镀膜玻璃的微结构改性研究 张溪文韩高荣赵高凌 (硅材料国家实验室．浙江大学，杭州．310027) 摘要：通过高分辨电镜分析并调整硅薄膜晶粒尺寸，使镀膜玻璃产生漫散射以解决光污染问题． 关键词：镀膜玻璃．漫散射，硅徽晶 众多现代高层建筑以大面积玻璃作为幕培材料．将通玻璃对太御光的高透过家使j】!筑物宝内升温过 快、日l光光线眩目．在炎热季二博尤为明显．因此，将普通玻璃深加：I：改性为能降低过多太阳能增益、避 免光线过强的能效玻璃．便成为引人订：n的问题．英冈皮尔金顿公珂最甲捉山刹川硅烷热分解制需硅镀 膜玻璃[1]．硅薄膜对可见光的吸收系数大．在接个太阳能辐射波氏范围内折射率高．且其易于在浮法玻 璃生产线上实现在线沉积．因此．耐激腆玻璃迅述住建筑业_扶褂应川．然而．硅罅膜玻璃的高镜面反射 效果给建筑物周围带来了严重的“光污染”．近年来已经引起了人们的重视．解决光污染问题可以从降低 镀膜玻璃表面反射、增大漫散射同时又保证一定的透过率这一思路出发，在玻璃表面进行磨砂、喷砂等 机械处理直接降低反射率。或者控制膜层中晶粒尺寸。使其接近于入射光的波长。从而产生漫敞射． 本文着重从硅薄膜材料微结构改性这一方面，探讨通过适当的制各工艺调箍晶粒大小，形成薄膜表 面漫散射效果，以达到消除硅镀膜玻璃光污染的目的． 实验 本实验采用常压化学气相沉积(^PcvD)系统．模拟浮法玻璃实际在线镀膜工艺[2]，制各硅镀膜玻璃 制过程中反应温度宜控制在580C一660C．基板固定在恒温区不动．反应气体从匀速移动的喷头中喷出， 整个工艺能较好地模拟在线生产的条件．用高分辨电镜O翻-2CX)分斩薄膜微结构．用紫外一可见光分度 仪测定试样的透过率和反射率。用轮廓仪(DEKTAK)测定薄膜厚度． 结果与分析讨论 在本实验条件下对不同基板温度沉积的硅薄膜厚度的测置表明，：芷600C一660℃范围内．只要维持其 他．1：艺条什不变。薄膜的厚度大致在40一60m之间．因此。对不同温度F制得的薄膜。可以近似不考虑膜 厚对反射率的影响． ’■ⅣB■‘■一 ^O-吣 图1人眼对可见光的敏感性 图2不同温度硅膜反射率和入射光波长的关系 9l 波长区应当重点加以考察．图2反映了基板温度控制在620—660℃时制各的硅镀膜玻璃的反射率和入射光 波长的关系．从图2可见。随沉积温度升高，镀膜玻璃的反射率逐渐降低．实际观察硅镀膜玻璃样品能发 现漫散射现象．整体的镜面反射效果有所减弱． 图3硅品格高分辨电镜条纹像 从高分辨率电镜照片中可以观察到，580C时薄膜中的结晶较少，只有少量无定形或非品态物质包裹 米：当沉积温度进一步升高：勇J660C时．薄膜中的硅微晶粒大量出现，含晶量估计为50％左右，且晶粒人 小不等，最大的可达数百纳米(见图3)。 根据以上实验事实．我们认为以APCVD法镀制的硅薄膜微结构受反应温度的较大影响，640(2以上沉 一定的漫散射，从而降低了硅薄膜的镜面反射． 结合晶体生长理论可以预期：对非晶硅薄膜进行后续640C左右的退火处理，控制一定的退火时问和 退火方式，可以有效地调整晶粒的尺寸和分布，进而得到晶粒分布弥散且晶粒大小在数百纳米的硅膜。 如果将此方法成功地应用到硅镀膜玻璃的生产上，有望解决光污染问题。 结论 常压化学气相沉积法制备硅镀膜玻璃过程中．64013以上沉积温度有助于硅薄膜的微晶化．硅膜中均 匀分布的数百纳米尺寸晶粒可以对可见兜产生漫反射，从而有效降低硅镀膜玻璃的光污染现象． 参考文献 I8 …PilkingtonBros．Ltd．Ger．Offenlagungschr．26261 【21浮法玻璃在线镀膜技术文献汇编，“玻璃“编辑部，1995．9 f3】P．Gd币thsetal．AppI．Energy,41,261-284(1992)，