微波介质陶瓷材料超细粉合成探究.pdfVIP

1999年全国天线理论、电磁散射与逆散射学术会议论文集 一——————————————————————————————_——●———————————————————，————^—————————————-——一 sp参 微波介质陶瓷材料超细粉合成研究 J 一㈡≮7) 吴毅强扬明健 (南昌大学电子科学工程系 南昌 330029) 龋粉。-实验表明：温度、湿度、溶液撼座、PH伍等是影响台成的主甍因素。 关键词傲控介质胸蹙材瓣蔽相合成 1．前言 徽波介质陶瓷材料是微波集成电路村底、介质波导、介质谐撅器、介质天线滤波器、介质天线婷数波电子元 器件工作基质的极重要的介质材料。微波介质陶瓷材料的性能很大程度上取决材料的组成及其显徽结构。要 获得高性能的微波介质陶瓷材料。徭要采用高纯、超细、化学成分均一、粒度适宜且组成可控的粉束原料。传统 的应用机械力柑醇的制粉技术已无法满足这些蔓求。而通过非侍抗的渡相合成耪末可获得牲度远小于l舯舶 颗粒．并可在液相中实现多埋分物料的分子、离子圾水平上的均匀混合。由此可在很大程度上提高材料组成与 结构的均匀性，满足对微波介质的高性能要求。奉研究采用液相台成法将所需组成的前驱体配制成混台有机腔 状溶液，以获得各组分较彻底的均匀化。再经过凝胶和热处理过程。制得超细微坡介质陶瓷耢辩。 2．实验 · 2l实验原理 用液相合成法制备多组分体系氧化物时，妥共同溶解于至少一种有机擦赦中。选用Ti(OC4喁)．作为TiCh 敞剂和稳定荆，乙羞纤维素乙醇溶娅作为枯台剂合成Zr—百一＆1系材料。 (oqH9)4与少量的水发生水解反应．反应表示如下：Il’ x≤4，y=4一x Ti(OR)4+xH20一丁l(OH)，(OR)y十xROH 键形成聚合成链．最终形成二维或三维网培的粒子蔟．丽元扰盐离子(如zr、SIl等，可均匀地分布在这种二雉或 三维网络中。如果反应完全进行。则会出现脱水或脱醇聚台。反应方程如下： 一Ti一0H-I-Ho—n一一一Ti—o—Ti一十№0 或 一Ti—CIH+Ro—Ti一一一Ti—O一∞一十RCIH 而Zr(NQ，)．在该系统中的水解过程可用下式表示：L2J u．n 其脱水聚台反应可表示为： Zr—OH+2r产OH—zr—O一2r+HO 类似地．在该系统中的＆1Ck亦会进行水解、聚台反应。另外在锻烧过程中，Sn离子可能置换Zr离子．有利 于减小温度系数q。 在上述zr—Ti—Sn的乙醇系统中，由于水解、聚台作用几乎同时进行．使得最邻近的功能团尺度上有若干 种化学环境，因此聚台完成后所形成的状态是很复杂的。实际上在制备过程中．往往是通过PH值、H20的台 量、温度等参量来控制这种多组分体系的氧化物瓷粉的形成的。 ’ 2．2制备工艺 在nPmd救相藩胶的过程中。溶液要保持澄清。因为Zr(N岛)‘-5％0徽溶于乙醇，所以要甄先配制各 (Nq){·5坞0的乙醇褡液备用，制得的液相掩艘密封放量2—3天后，控制温度和湿度使液相溶款的精度运新 增大。使液相溶艘凝胶化形成凝胶，再把凝胶放人干燥塔中充分干燥．得到于凝胶，并在S00℃--600℃锻烧千凝 。 腔．最后得到微波介质瓷粉。工艺流程见图l 1999年全国天线理论、电磁散射与逆散射学术会议论文集 将该瓷粉经成型、烧结削成徽波介质谐搬器、撼渡器，并浏试